STL60N3LLH5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STL60N3LLH5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 22 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0071 Ohm

Encapsulados: POWERFLAT5X6

 Búsqueda de reemplazo de STL60N3LLH5 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

STL60N3LLH5 datasheet

 ..1. Size:583K  st
 stl60n3llh5.pdf pdf_icon

STL60N3LLH5

STL60N3LLH5 N-channel 30 V, 0.0063 , 17 A PowerFLAT (5x6) STripFET V Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STL60N3LLH5 30 V

 7.1. Size:1420K  st
 stl60n32n3ll.pdf pdf_icon

STL60N3LLH5

STL60N32N3LL Dual N-channel 30 V, 0.005 , 15 A PowerFLAT 5x6 asymmetrical double island, STripFET Power MOSFET Features Order code VDSS RDS(on) ID 4 Q1 30 V

 8.1. Size:384K  st
 stl60nh3ll.pdf pdf_icon

STL60N3LLH5

STL60NH3LL N-channel 30 V - 0.0065 - 30 A - PowerFLAT (6x5) ultra low gate charge STripFET Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID (max) STL60NH3LL 30V

 8.2. Size:1280K  st
 stl60n10f7.pdf pdf_icon

STL60N3LLH5

STL60N10F7 N-channel 100 V, 0.0145 typ., 12 A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features RDS(on) Order code VDS max ID PTOT STL60N10F7 100 V 0.018 12 A 5 W 1 2 3 4 Ultra low on-resistance 100% avalanche tested PowerFLAT 5x6 Applications Switching applications Description Figure 1. Intern

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... STL32N55M5, STL35N15F3, STL40DN3LLH5, STL42N65M5, STL50N3LLH5, STL52N25M5, STL56N3LLH5, STL60N32N3LL, IRF1405, STL65DN3LLH5, STL65N3LLH5, STL70N2LLH5, STL70N4LLF5, STL75N3LLZH5, STL75N8LF6, STL7NM60N, STL80N3LLH6