STL60N3LLH5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STL60N3LLH5
Маркировка: 60N3LLH5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 22 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1(min) V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8 nC
trⓘ - Время нарастания: 11.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0071 Ohm
Тип корпуса: POWERFLAT5X6
Аналог (замена) для STL60N3LLH5
STL60N3LLH5 Datasheet (PDF)
stl60n3llh5.pdf
STL60N3LLH5N-channel 30 V, 0.0063 , 17 A PowerFLAT (5x6)STripFET V Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTL60N3LLH5 30 V
stl60n32n3ll.pdf
STL60N32N3LLDual N-channel 30 V, 0.005 , 15 A PowerFLAT 5x6asymmetrical double island, STripFET Power MOSFETFeaturesOrder code VDSS RDS(on) ID4Q1 30 V
stl60nh3ll.pdf
STL60NH3LLN-channel 30 V - 0.0065 - 30 A - PowerFLAT (6x5)ultra low gate charge STripFET Power MOSFETFeaturesRDS(on)Type VDSS ID(max)STL60NH3LL 30V
stl60n10f7.pdf
STL60N10F7N-channel 100 V, 0.0145 typ., 12 A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 packageDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order code VDS max ID PTOTSTL60N10F7 100 V 0.018 12 A 5 W1234 Ultra low on-resistance 100% avalanche testedPowerFLAT 5x6 Applications Switching applicationsDescriptionFigure 1. Intern
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918