Справочник MOSFET. STL60N3LLH5

 

STL60N3LLH5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STL60N3LLH5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 22 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0071 Ohm
   Тип корпуса: POWERFLAT5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STL60N3LLH5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:583K  st
stl60n3llh5.pdfpdf_icon

STL60N3LLH5

STL60N3LLH5N-channel 30 V, 0.0063 , 17 A PowerFLAT (5x6)STripFET V Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTL60N3LLH5 30 V

 7.1. Size:1420K  st
stl60n32n3ll.pdfpdf_icon

STL60N3LLH5

STL60N32N3LLDual N-channel 30 V, 0.005 , 15 A PowerFLAT 5x6asymmetrical double island, STripFET Power MOSFETFeaturesOrder code VDSS RDS(on) ID4Q1 30 V

 8.1. Size:384K  st
stl60nh3ll.pdfpdf_icon

STL60N3LLH5

STL60NH3LLN-channel 30 V - 0.0065 - 30 A - PowerFLAT (6x5)ultra low gate charge STripFET Power MOSFETFeaturesRDS(on)Type VDSS ID(max)STL60NH3LL 30V

 8.2. Size:1280K  st
stl60n10f7.pdfpdf_icon

STL60N3LLH5

STL60N10F7N-channel 100 V, 0.0145 typ., 12 A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 packageDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order code VDS max ID PTOTSTL60N10F7 100 V 0.018 12 A 5 W1234 Ultra low on-resistance 100% avalanche testedPowerFLAT 5x6 Applications Switching applicationsDescriptionFigure 1. Intern

Другие MOSFET... STL32N55M5 , STL35N15F3 , STL40DN3LLH5 , STL42N65M5 , STL50N3LLH5 , STL52N25M5 , STL56N3LLH5 , STL60N32N3LL , IRF9640 , STL65DN3LLH5 , STL65N3LLH5 , STL70N2LLH5 , STL70N4LLF5 , STL75N3LLZH5 , STL75N8LF6 , STL7NM60N , STL80N3LLH6 .

History: DMN3052LSS | FHF630A

 

 
Back to Top

 


 
.