STL80N75F6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STL80N75F6
   Código: 80N75F6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 78 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 530 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERFLAT5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STL80N75F6

STL80N75F6 Datasheet (PDF)

..1. Size:973K st
stl80n75f6.pdf

STL80N75F6N-channel 75 V, 4.5 m typ., 18 A STripFET F6 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDSTL80N75F6 75 V 5.5 m 18 A Very low on-resistance123 Very low gate charge4 High avalanche ruggednessPowerFLAT 5x6 Low gate drive power lossApplications Switching applicationsFi

8.1. Size:349K st
stl80n4llf3.pdf

STL80N4LLF3N-channel 40V - 0.0042 - 80A - PowerFLAT (6x5)STripFET Power MOSFET for DC-DC conversionGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTL80N4LLF3 40V

8.2. Size:544K st
stl80n3llh6.pdf

STL80N3LLH6N-channel 30 V, 0.0046 , 21 A PowerFLAT(5x6)STripFET VI DeepGATE Power MOSFETPreliminary dataFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTL80N3LLH6 30 V 0.0052 21 A (1)1. The value is rated according Rthj-pcb RDS(on) * Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on)PowerFLAT ( 5x6 ) High avalanche ruggedness Low gate drive powe

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