STL80N75F6 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STL80N75F6

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 530 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm

Encapsulados: POWERFLAT5X6

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STL80N75F6 datasheet

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STL80N75F6

STL80N75F6 N-channel 75 V, 4.5 m typ., 18 A STripFET F6 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max ID STL80N75F6 75 V 5.5 m 18 A Very low on-resistance 1 2 3 Very low gate charge 4 High avalanche ruggedness PowerFLAT 5x6 Low gate drive power loss Applications Switching applications Fi

 8.1. Size:349K  st
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STL80N75F6

STL80N4LLF3 N-channel 40V - 0.0042 - 80A - PowerFLAT (6x5) STripFET Power MOSFET for DC-DC conversion General features Type VDSS RDS(on) ID STL80N4LLF3 40V

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STL80N75F6

STL80N3LLH6 N-channel 30 V, 0.0046 , 21 A PowerFLAT (5x6) STripFET VI DeepGATE Power MOSFET Preliminary data Features RDS(on) Type VDSS ID max STL80N3LLH6 30 V 0.0052 21 A (1) 1. The value is rated according Rthj-pcb RDS(on) * Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on) PowerFLAT ( 5x6 ) High avalanche ruggedness Low gate drive powe

Otros transistores... STL65N3LLH5, STL70N2LLH5, STL70N4LLF5, STL75N3LLZH5, STL75N8LF6, STL7NM60N, STL80N3LLH6, STL80N4LLF3, EMB04N03H, STL85N6F3, STL8N65M5, STL90N3LLH6, STL9N3LLH5, STN1HNK60, STN1N20, STN1NF10, STN1NK60Z