STL90N3LLH6 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STL90N3LLH6

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm

Encapsulados: POWERFLAT5X6

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STL90N3LLH6 datasheet

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STL90N3LLH6

STL90N3LLH6 N-channel 30 V, 0.0038 , 24 A PowerFLAT (5x6) STripFET VI DeepGATE Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STL90N3LLH6 30 V 0.0045 24 A (1) 1. The value is rated according Rthj-pcb RDS(on) * Qg industry benchmark PowerFLAT ( 5x6 ) Extremely low on-resistance RDS(on) High avalanche ruggedness Low gate drive power losses Ver

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STL90N3LLH6

STL90N6F7 N-channel 60 V, 0.0046 typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features Order code V R max I DS DS(on) D STL90N6F7 60 V 0.0054 90 A 1 2 3 Among the lowest RDS(on) on the market 4 Excellent figure of merit (FoM) Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity PowerFLAT 5x6 High avalanche rugg

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STL90N3LLH6

STL90N10F7 N-channel 100 V, 0.007 typ., 70 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOT STL90N10F7 100 V 0.008 70 A 100 W 1 2 3 Among the lowest RDS(on) on the market 4 Excellent figure of merit (FoM) Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity PowerFLAT 5x6 High

Otros transistores... STL75N3LLZH5, STL75N8LF6, STL7NM60N, STL80N3LLH6, STL80N4LLF3, STL80N75F6, STL85N6F3, STL8N65M5, AOD4184A, STL9N3LLH5, STN1HNK60, STN1N20, STN1NF10, STN1NK60Z, STN1NK80Z, STN2NF10, STN3N40K3