STN1HNK60 Todos los transistores

 

STN1HNK60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STN1HNK60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 3.3 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3.7 V

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 8.5 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT223

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STN1HNK60 Datasheet (PDF)

1.1. std1nk60 std1nk60-1 stq1hnk60r stn1hnk60.pdf Size:427K _st

STN1HNK60
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STD1NK60 - STD1NK60-1 STQ1HNK60R - STN1HNK60 N-CHANNEL 600V - 8? - 1A DPAK/TO-92/IPAK/SOT-223 SuperMESH MOSFET Table 1: General Features Figure 1: Package TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STD1NK60 600 V < 8.5 ? 1 A 30 W STD1NK60-1 600 V < 8.5 ? 1 A 30 W 3 STQ1HNK60R 600 V < 8.5 ? 0.4 A 3 W 1 STN1HNK60 600 V < 8.5 ? 0.4 A 3.3 W TYPICAL RDS(on) = 8 ? TO-92 (Ammopack) DPAK EXTREMELY HIGH dv

4.1. stn1hnc60.pdf Size:260K _st

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STN1HNC60 N-CHANNEL 600V - 7? - 0.4A - SOT-223 PowerMeshII MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STN1HNC60 600 V < 8 ? 0.4 A 2 TYPICAL RDS(on) = 7? EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED 3 NEW HIGH VOLTAGE BENCHMARK 2 GATE CHARGE MINIMIZED 1 DESCRIPTION SOT-223 The PowerMESHII is the evolution of the first generation of MESH OVERLAY. The layout re- finements introduc

 

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