STN1HNK60 Todos los transistores

 

STN1HNK60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STN1HNK60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

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STN1HNK60 datasheet

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STN1HNK60

STN1HNK60, STQ1HNK60R-AP Datasheet N-channel 600 V, 7.3 typ., 0.4 A SuperMESH Power MOSFETs in a SOT-223 and TO-92 packages 4 Features 23 1 VDS RDS(on) max. ID Order code Package SOT-223 STN1HNK60 SOT-223 600 V 8.5 0.4 A STQ1HNK60R-AP TO-92 Extremely high dv/dt capability 100% avalanche tested 3 2 Gate charge minimized 1 TO-92 (Ammopack) D(2, 4) Appli

 ..2. Size:424K  st
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STN1HNK60

STD1NK60 - STD1NK60-1 STQ1HNK60R - STN1HNK60 N-CHANNEL 600V - 8 - 1A DPAK/TO-92/IPAK/SOT-223 SuperMESH MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STD1NK60 600 V

 ..3. Size:427K  st
 std1nk60-1 std1nk60t4 std1nk60 std1nk60-1 stq1hnk60r stn1hnk60.pdf pdf_icon

STN1HNK60

STD1NK60 - STD1NK60-1 STQ1HNK60R - STN1HNK60 N-CHANNEL 600V - 8 - 1A DPAK/TO-92/IPAK/SOT-223 SuperMESH MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STD1NK60 600 V

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STN1HNK60

STN1HNC60 N-CHANNEL 600V - 7 - 0.4A - SOT-223 PowerMesh II MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STN1HNC60 600 V

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History: 2N4416AC1D

 

 
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