STN1N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STN1N20
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.9 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT223
Búsqueda de reemplazo de STN1N20 MOSFET
STN1N20 Datasheet (PDF)
stn1n20.pdf

STN1N20N-channel 200 V, 1.2 , 1 A, SOT-223MESH OVERLAY Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTN1N20 200 V
stn1nf20.pdf

STN1NF20N-channel 200 V, 1.1 , 1 A SOT-223STripFET II Power MOSFETFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max IDSTN1NF20 200 V
stn1nb80.pdf

STN1NB80N - CHANNEL 800V - 16 - 0.2A - SOT-223PowerMESH MOSFETTYPE V R IDSS DS(on) DSTN1NB80 800 V
stn1nf10.pdf

STN1NF10N-channel 100V - 0.7 -1A SOT-223STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID2STN1NF10 100V
Otros transistores... STL80N3LLH6 , STL80N4LLF3 , STL80N75F6 , STL85N6F3 , STL8N65M5 , STL90N3LLH6 , STL9N3LLH5 , STN1HNK60 , 5N50 , STN1NF10 , STN1NK60Z , STN1NK80Z , STN2NF10 , STN3N40K3 , STN3N45K3 , STN3NF06 , STN3NF06L .
History: 2SK2604 | OSG60R180HSF | SMG2371P | 2SK3376MFV | 2SK3068B | TPC8051-H | WMB70N04T1
History: 2SK2604 | OSG60R180HSF | SMG2371P | 2SK3376MFV | 2SK3068B | TPC8051-H | WMB70N04T1



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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