STN1N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STN1N20
   Código: N1N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 11 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STN1N20

STN1N20 Datasheet (PDF)

..1. Size:504K st
stn1n20.pdf

STN1N20N-channel 200 V, 1.2 , 1 A, SOT-223MESH OVERLAY Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTN1N20 200 V

9.1. Size:648K st
stn1nf20.pdf

STN1NF20N-channel 200 V, 1.1 , 1 A SOT-223STripFET II Power MOSFETFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max IDSTN1NF20 200 V

9.2. Size:285K st
stn1nb80.pdf

STN1NB80N - CHANNEL 800V - 16 - 0.2A - SOT-223PowerMESH MOSFETTYPE V R IDSS DS(on) DSTN1NB80 800 V

9.3. Size:246K st
stn1nf10.pdf

STN1NF10N-channel 100V - 0.7 -1A SOT-223STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID2STN1NF10 100V

9.4. Size:629K st
stq1nk80zr-ap stn1nk80z std1nk80z std1nk80z-1.pdf

STQ1NK80ZR-AP - STN1NK80ZSTD1NK80Z - STD1NK80Z-1N-CHANNEL 800V - 13 - 1 A TO-92 /SOT-223/DPAK/IPAKZener - Protected SuperMESH MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID Pw2STQ1NK80ZR-AP 800 V

9.5. Size:266K st
stn1nc60.pdf

STN1NC60N-CHANNEL 600V - 12 - 0.3A - SOT-223PowerMeshII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTN1NC60 600 V

9.6. Size:1003K st
stn1nk60z stq1nk60zr.pdf

STN1NK60Z, STQ1NK60ZRN-channel 600 V, 13 typ., 0.3 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFETs in SOT-223 and TO-92 packagesDatasheet - production dataFeaturesVDS RDS(on)max ID PTOTOrder codes4 STN1NK60Z 3.3 W600 V 15 0.3 ASTQ1NK60ZR-AP 3 W321 100% avalanche testedSOT-223TO-92 (Ammopak) Extremely high dv/dt capability Gate charge minimized

9.7. Size:460K st
std1lnk60z-1 stq1nk60zr-ap stn1nk60z.pdf

STD1LNK60Z-1STQ1NK60ZR-AP - STN1NK60ZN-channel 600V - 13 - 0.8A - TO-92 - TO-251 - SOT-223Zener-Protected SuperMESH Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID PwSTD1LNK60Z-1 600V

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: