Справочник MOSFET. STN1N20

 

STN1N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STN1N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для STN1N20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STN1N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:504K  st
stn1n20.pdfpdf_icon

STN1N20

STN1N20N-channel 200 V, 1.2 , 1 A, SOT-223MESH OVERLAY Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTN1N20 200 V

 9.1. Size:648K  st
stn1nf20.pdfpdf_icon

STN1N20

STN1NF20N-channel 200 V, 1.1 , 1 A SOT-223STripFET II Power MOSFETFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max IDSTN1NF20 200 V

 9.2. Size:285K  st
stn1nb80.pdfpdf_icon

STN1N20

STN1NB80N - CHANNEL 800V - 16 - 0.2A - SOT-223PowerMESH MOSFETTYPE V R IDSS DS(on) DSTN1NB80 800 V

 9.3. Size:246K  st
stn1nf10.pdfpdf_icon

STN1N20

STN1NF10N-channel 100V - 0.7 -1A SOT-223STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID2STN1NF10 100V

Другие MOSFET... STL80N3LLH6 , STL80N4LLF3 , STL80N75F6 , STL85N6F3 , STL8N65M5 , STL90N3LLH6 , STL9N3LLH5 , STN1HNK60 , 5N50 , STN1NF10 , STN1NK60Z , STN1NK80Z , STN2NF10 , STN3N40K3 , STN3N45K3 , STN3NF06 , STN3NF06L .

History: AP2864I-A-HF | IRFS9632 | CEB13N5A | RJU003N03FRA

 

 
Back to Top

 


 
.