STN1NF10 Todos los transistores

 

STN1NF10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STN1NF10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

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STN1NF10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:246K  st
stn1nf10.pdf pdf_icon

STN1NF10

STN1NF10N-channel 100V - 0.7 -1A SOT-223STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID2STN1NF10 100V

 8.1. Size:648K  st
stn1nf20.pdf pdf_icon

STN1NF10

STN1NF20N-channel 200 V, 1.1 , 1 A SOT-223STripFET II Power MOSFETFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max IDSTN1NF20 200 V

 9.1. Size:504K  st
stn1n20.pdf pdf_icon

STN1NF10

STN1N20N-channel 200 V, 1.2 , 1 A, SOT-223MESH OVERLAY Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTN1N20 200 V

 9.2. Size:285K  st
stn1nb80.pdf pdf_icon

STN1NF10

STN1NB80N - CHANNEL 800V - 16 - 0.2A - SOT-223PowerMESH MOSFETTYPE V R IDSS DS(on) DSTN1NB80 800 V

Otros transistores... STL80N4LLF3 , STL80N75F6 , STL85N6F3 , STL8N65M5 , STL90N3LLH6 , STL9N3LLH5 , STN1HNK60 , STN1N20 , IRFP064N , STN1NK60Z , STN1NK80Z , STN2NF10 , STN3N40K3 , STN3N45K3 , STN3NF06 , STN3NF06L , STN3PF06 .

History: MMBFJ113

 

 
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