STN1NF10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STN1NF10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm

Encapsulados: SOT223

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STN1NF10 datasheet

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STN1NF10

STN1NF10 N-channel 100V - 0.7 -1A SOT-223 STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID 2 STN1NF10 100V

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STN1NF10

STN1NF20 N-channel 200 V, 1.1 , 1 A SOT-223 STripFET II Power MOSFET Features Order code VDSS RDS(on) max ID STN1NF20 200 V

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STN1NF10

STN1N20 N-channel 200 V, 1.2 , 1 A, SOT-223 MESH OVERLAY Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) max ID STN1N20 200 V

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STN1NF10

STN1NB80 N - CHANNEL 800V - 16 - 0.2A - SOT-223 PowerMESH MOSFET TYPE V R I DSS DS(on) D STN1NB80 800 V

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