STN1NF10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STN1NF10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT223
- Selección de transistores por parámetros
STN1NF10 Datasheet (PDF)
stn1nf10.pdf

STN1NF10N-channel 100V - 0.7 -1A SOT-223STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID2STN1NF10 100V
stn1nf20.pdf

STN1NF20N-channel 200 V, 1.1 , 1 A SOT-223STripFET II Power MOSFETFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max IDSTN1NF20 200 V
stn1n20.pdf

STN1N20N-channel 200 V, 1.2 , 1 A, SOT-223MESH OVERLAY Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTN1N20 200 V
stn1nb80.pdf

STN1NB80N - CHANNEL 800V - 16 - 0.2A - SOT-223PowerMESH MOSFETTYPE V R IDSS DS(on) DSTN1NB80 800 V
Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: HGN032NE4S | AOLF66610 | VS3618AE | 2SK1336 | WSD4066DN | CSD17310Q5A | IXFC10N80P
History: HGN032NE4S | AOLF66610 | VS3618AE | 2SK1336 | WSD4066DN | CSD17310Q5A | IXFC10N80P



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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