STN1NF10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STN1NF10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
Тип корпуса: SOT223
Аналог (замена) для STN1NF10
STN1NF10 Datasheet (PDF)
stn1nf10.pdf

STN1NF10N-channel 100V - 0.7 -1A SOT-223STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID2STN1NF10 100V
stn1nf20.pdf

STN1NF20N-channel 200 V, 1.1 , 1 A SOT-223STripFET II Power MOSFETFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max IDSTN1NF20 200 V
stn1n20.pdf

STN1N20N-channel 200 V, 1.2 , 1 A, SOT-223MESH OVERLAY Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTN1N20 200 V
stn1nb80.pdf

STN1NB80N - CHANNEL 800V - 16 - 0.2A - SOT-223PowerMESH MOSFETTYPE V R IDSS DS(on) DSTN1NB80 800 V
Другие MOSFET... STL80N4LLF3 , STL80N75F6 , STL85N6F3 , STL8N65M5 , STL90N3LLH6 , STL9N3LLH5 , STN1HNK60 , STN1N20 , IRFP064N , STN1NK60Z , STN1NK80Z , STN2NF10 , STN3N40K3 , STN3N45K3 , STN3NF06 , STN3NF06L , STN3PF06 .
History: FDP15N50 | AP4407GP | HY050N08P | CSD17573Q5B | VBZA4407 | PHB222NQ04LT | SPD07N60C3
History: FDP15N50 | AP4407GP | HY050N08P | CSD17573Q5B | VBZA4407 | PHB222NQ04LT | SPD07N60C3



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
2sb754 | 2sc2362 | 2sd468 | c2240 transistor | 2sc1918 | c1213 transistor | 2sc1400 replacement | 2sb817