STN1NF10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STN1NF10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для STN1NF10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STN1NF10 даташит

 ..1. Size:246K  st
 stn1nf10.pdf pdf_icon

STN1NF10

STN1NF10 N-channel 100V - 0.7 -1A SOT-223 STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID 2 STN1NF10 100V

 8.1. Size:648K  st
 stn1nf20.pdf pdf_icon

STN1NF10

STN1NF20 N-channel 200 V, 1.1 , 1 A SOT-223 STripFET II Power MOSFET Features Order code VDSS RDS(on) max ID STN1NF20 200 V

 9.1. Size:504K  st
 stn1n20.pdf pdf_icon

STN1NF10

STN1N20 N-channel 200 V, 1.2 , 1 A, SOT-223 MESH OVERLAY Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) max ID STN1N20 200 V

 9.2. Size:285K  st
 stn1nb80.pdf pdf_icon

STN1NF10

STN1NB80 N - CHANNEL 800V - 16 - 0.2A - SOT-223 PowerMESH MOSFET TYPE V R I DSS DS(on) D STN1NB80 800 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STL80N4LLF3, STL80N75F6, STL85N6F3, STL8N65M5, STL90N3LLH6, STL9N3LLH5, STN1HNK60, STN1N20, AO4468, STN1NK60Z, STN1NK80Z, STN2NF10, STN3N40K3, STN3N45K3, STN3NF06, STN3NF06L, STN3PF06