STN1NK60Z MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STN1NK60Z

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 17.6 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 15 Ohm

Encapsulados: SOT223

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STN1NK60Z datasheet

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STN1NK60Z

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STN1NK60Z

STD1LNK60Z-1 STQ1NK60ZR-AP - STN1NK60Z N-channel 600V - 13 - 0.8A - TO-92 - TO-251 - SOT-223 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID Pw STD1LNK60Z-1 600V

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STN1NK60Z

STQ1NK80ZR-AP - STN1NK80Z STD1NK80Z - STD1NK80Z-1 N-CHANNEL 800V - 13 - 1 A TO-92 /SOT-223/DPAK/IPAK Zener - Protected SuperMESH MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) ID Pw 2 STQ1NK80ZR-AP 800 V

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STN1NK60Z

STN1NF20 N-channel 200 V, 1.1 , 1 A SOT-223 STripFET II Power MOSFET Features Order code VDSS RDS(on) max ID STN1NF20 200 V

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