STN1NK60Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STN1NK60Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 17.6 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 15 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для STN1NK60Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STN1NK60Z даташит

 ..1. Size:1003K  st
 stn1nk60z stq1nk60zr.pdf pdf_icon

STN1NK60Z

 ..2. Size:460K  st
 std1lnk60z-1 stq1nk60zr-ap stn1nk60z.pdf pdf_icon

STN1NK60Z

STD1LNK60Z-1 STQ1NK60ZR-AP - STN1NK60Z N-channel 600V - 13 - 0.8A - TO-92 - TO-251 - SOT-223 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID Pw STD1LNK60Z-1 600V

 8.1. Size:629K  st
 stq1nk80zr-ap stn1nk80z std1nk80z std1nk80z-1.pdf pdf_icon

STN1NK60Z

STQ1NK80ZR-AP - STN1NK80Z STD1NK80Z - STD1NK80Z-1 N-CHANNEL 800V - 13 - 1 A TO-92 /SOT-223/DPAK/IPAK Zener - Protected SuperMESH MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) ID Pw 2 STQ1NK80ZR-AP 800 V

 9.1. Size:648K  st
 stn1nf20.pdf pdf_icon

STN1NK60Z

STN1NF20 N-channel 200 V, 1.1 , 1 A SOT-223 STripFET II Power MOSFET Features Order code VDSS RDS(on) max ID STN1NF20 200 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STL80N75F6, STL85N6F3, STL8N65M5, STL90N3LLH6, STL9N3LLH5, STN1HNK60, STN1N20, STN1NF10, IRF730, STN1NK80Z, STN2NF10, STN3N40K3, STN3N45K3, STN3NF06, STN3NF06L, STN3PF06, STN4NF03L