STN2NF10 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

STN2NF10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STN2NF10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26 Ohm

Encapsulados: SOT223

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STN2NF10 datasheet

..1. Size:250K st
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STN2NF10 N-channel 100V - 0.23 - 2.4A - SOT-223 STripFET II Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID STN2NF10 100V

..2. Size:1182K kexin
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SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET STN2NF10 (KTN2NF10) Unit mm SOT-223 6.50 0.2 3.00 0.1 Features 4 VDS (V) = 100V ID = 2.4 A (VGS = 10V) RDS(ON) 260m (VGS = 10V) 1 2 3 D 0.250 2.30 (typ) Gauge Plane 1.Gate G 2.Drain 0.70 0.1 3.Source 4.60 (typ) S 4.Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Vol

8.1. Size:290K st
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