STN2NF10 Todos los transistores

 

STN2NF10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STN2NF10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

STN2NF10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:250K  st
 stn2nf10.pdf pdf_icon

STN2NF10

STN2NF10N-channel 100V - 0.23 - 2.4A - SOT-223STripFET II Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTN2NF10 100V

 ..2. Size:1182K  kexin
 stn2nf10.pdf pdf_icon

STN2NF10

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETSTN2NF10 (KTN2NF10)Unit:mmSOT-2236.500.23.000.1 Features4 VDS (V) = 100V ID = 2.4 A (VGS = 10V) RDS(ON) 260m (VGS = 10V)1 2 3D0.2502.30 (typ)Gauge Plane1.GateG 2.Drain0.700.13.Source4.60 (typ)S 4.Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Vol

 8.1. Size:290K  st
 stn2nf06l.pdf pdf_icon

STN2NF10

STN2NF06LN-CHANNEL 60V - 0.1 - 2A SOT-223STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTN2NF06L 60 V

 8.2. Size:357K  st
 stn2nf06.pdf pdf_icon

STN2NF10

STN2NF06N - CHANNEL 60V - 0.12 - 2A - SOT-223STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTN2NF06 60 V

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History: NCE65T1K2D | QS8F2 | SED8840

 

 
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