STN2NF10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STN2NF10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для STN2NF10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STN2NF10 даташит

 ..1. Size:250K  st
 stn2nf10.pdf pdf_icon

STN2NF10

STN2NF10 N-channel 100V - 0.23 - 2.4A - SOT-223 STripFET II Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID STN2NF10 100V

 ..2. Size:1182K  kexin
 stn2nf10.pdf pdf_icon

STN2NF10

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET STN2NF10 (KTN2NF10) Unit mm SOT-223 6.50 0.2 3.00 0.1 Features 4 VDS (V) = 100V ID = 2.4 A (VGS = 10V) RDS(ON) 260m (VGS = 10V) 1 2 3 D 0.250 2.30 (typ) Gauge Plane 1.Gate G 2.Drain 0.70 0.1 3.Source 4.60 (typ) S 4.Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Vol

 8.1. Size:290K  st
 stn2nf06l.pdf pdf_icon

STN2NF10

 8.2. Size:357K  st
 stn2nf06.pdf pdf_icon

STN2NF10

STN2NF06 N - CHANNEL 60V - 0.12 - 2A - SOT-223 STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STN2NF06 60 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STL8N65M5, STL90N3LLH6, STL9N3LLH5, STN1HNK60, STN1N20, STN1NF10, STN1NK60Z, STN1NK80Z, IRF3205, STN3N40K3, STN3N45K3, STN3NF06, STN3NF06L, STN3PF06, STN4NF03L, STN4NF06L, STN4NF20L