STN2NF10 - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

STN2NF10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STN2NF10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для STN2NF10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

STN2NF10 даташит

..1. Size:250K st
stn2nf10.pdf pdf_icon

STN2NF10 N-channel 100V - 0.23 - 2.4A - SOT-223 STripFET II Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID STN2NF10 100V

..2. Size:1182K kexin
stn2nf10.pdf pdf_icon

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET STN2NF10 (KTN2NF10) Unit mm SOT-223 6.50 0.2 3.00 0.1 Features 4 VDS (V) = 100V ID = 2.4 A (VGS = 10V) RDS(ON) 260m (VGS = 10V) 1 2 3 D 0.250 2.30 (typ) Gauge Plane 1.Gate G 2.Drain 0.70 0.1 3.Source 4.60 (typ) S 4.Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Vol

8.1. Size:290K st
stn2nf06l.pdf pdf_icon