STP10N62K3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STP10N62K3
   Código: 10N62K3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 620 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 42 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 138 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

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STP10N62K3 Datasheet (PDF)

..1. Size:948K st
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STF10N62K3, STFI10N62K3,STI10N62K3, STP10N62K3N-channel 620 V, 0.68 typ., 8.4 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, IPAKFP, IPAK, TO-220 packagesDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Type VDSS max ID Pw32STF10N62K31128.4 A(1) 30 W3TO-220FPSTFI10N62K3IPAKFP620 V

7.1. Size:1627K st
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STB10N60M2, STD10N60M2, STP10N60M2, STU10N60M2N-channel 600 V, 0.550 typ., 7.5 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in DPAK, DPAK, TO-220 and IPAK packagesDatasheet - production dataFeaturesTABTABRDS(on) 3 Order codes VDS @ TJmax max ID131DPAKSTB10N60M2D 2 PAKSTD10N60M2650 V 0.600 7.5 ASTP10N60M2TABTABSTU10N60M23 Extremely low gate ch

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STB10N65K3, STF10N65K3, STFI10N65K3, STP10N65K3N-channel 650 V, 0.75 typ., 10 A SuperMESH3 Power MOSFETs in D2PAK, TO-220FP, I2PAKFP and TO-220 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABOrder codes VDS RDS(on) max ID PTOT313 STB10N65K3 150 W2D2PAK 1STF10N65K3TO-220FP650 V 1 10 A 35 WSTFI10N65K3TABSTP10N65K3 150 W 100% avalanche tested3

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