STP10N62K3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP10N62K3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 620 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 138 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP10N62K3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP10N62K3 даташит

 ..1. Size:948K  st
 stf10n62k3 stfi10n62k3 sti10n62k3 stp10n62k3.pdf pdf_icon

STP10N62K3

STF10N62K3, STFI10N62K3, STI10N62K3, STP10N62K3 N-channel 620 V, 0.68 typ., 8.4 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, I PAKFP, I PAK, TO-220 packages Datasheet - production data Features RDS(on) Type VDSS max ID Pw 3 2 STF10N62K3 1 1 2 8.4 A(1) 30 W 3 TO-220FP STFI10N62K3 I PAKFP 620 V

 7.1. Size:1627K  st
 stb10n60m2 std10n60m2 stp10n60m2 stu10n60m2.pdf pdf_icon

STP10N62K3

STB10N60M2, STD10N60M2, STP10N60M2, STU10N60M2 N-channel 600 V, 0.550 typ., 7.5 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D PAK, DPAK, TO-220 and IPAK packages Datasheet - production data Features TAB TAB RDS(on) 3 Order codes VDS @ TJmax max ID 1 3 1 DPAK STB10N60M2 D 2 PAK STD10N60M2 650 V 0.600 7.5 A STP10N60M2 TAB TAB STU10N60M2 3 Extremely low gate ch

 7.2. Size:1300K  st
 stb10n65k3 stfi10n65k3 stp10n65k3.pdf pdf_icon

STP10N62K3

 7.3. Size:1300K  st
 stb10n65k3 stf10n65k3 stfi10n65k3 stp10n65k3.pdf pdf_icon

STP10N62K3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STN3N45K3, STN3NF06, STN3NF06L, STN3PF06, STN4NF03L, STN4NF06L, STN4NF20L, STP100NF04, IRF1404, STP10NK60Z, STP10NK70Z, STP10NK70ZFP, STP10NK80Z, STP10NK80ZFP, STP10NM50N, STP10NM60N, STP10NM60ND