STP11N52K3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP11N52K3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 525 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.51 Ohm

Encapsulados: TO220

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STP11N52K3 datasheet

 ..1. Size:1155K  st
stb11n52k3 stf11n52k3 stp11n52k3.pdf pdf_icon

STP11N52K3

STB11N52K3, STF11N52K3 STP11N52K3 N-channel 525 V, 0.41 , 10 A SuperMESH3 Power MOSFET in D PAK,TO-220FP and TO-220 packages Datasheet production data Features TAB RDS(on) Order codes VDSS max. ID Pw STB11N52K3 125 W 3 3 2 2 1 1 STF11N52K3 525 V

 8.1. Size:943K  st
stb11nm80 stf11nm80 stw11nm80 stp11nm80.pdf pdf_icon

STP11N52K3

STB11NM80, STF11NM80 STP11NM80, STW11NM80 N-channel 800 V, 0.35 , 11 A MDmesh Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, TO-247 Features RDS(on) Type VDSS RDS(on)*Qg ID max 3 1 3 STB11NM80 2 D PAK 1 STF11NM80 TO-247 800 V

 8.2. Size:1017K  st
stb11n65m5 std11n65m5 stf11n65m5 stp11n65m5.pdf pdf_icon

STP11N52K3

STB11N65M5, STD11N65M5 STF11N65M5, STP11N65M5 Datasheet N-channel 650 V, 0.43 typ., 9 A MDmesh M5 Power MOSFETs in a DPAK, D PAK, TO-220FP and TO-220 packages Features TAB TAB 3 2 VDS @ 3 1 1 RDS(on)max. ID Order code DPAK 2 D PAK Tjmax. TAB STB11N65M5 STD11N65M5 710 V 0.48 9 A 3 2 3 1 STF11N65M5 2 1 TO-220 TO-220FP STP11N65M5 D(2, TAB) Extremel

 8.3. Size:624K  st
stb11nm60t4 stp11nm60.pdf pdf_icon

STP11N52K3

STB11NM60T4, STP11NM60 Datasheet N-channel 600 V, 0.4 typ., 11 A, MDmesh II Power MOSFETs in D PAK and TO-220 packages Features VDSS TAB RDS(on) max. ID TAB Order codes Package (@ TJmax) STB11NM60T4 D PAK 3 650 V 0.45 11 A 1 3 2 STP11NM60 TO-220 D PAK TO-220 2 1 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance D(2

Otros transistores... STP10NK70Z, STP10NK70ZFP, STP10NK80Z, STP10NK80ZFP, STP10NM50N, STP10NM60N, STP10NM60ND, STP10NM65N, IRFB4115, STP11NK40Z, STP11NK40ZFP, STP11NK50Z, STP11NK50ZFP, STP11NM50N, STP11NM60, STP11NM60FD, STP11NM60ND