STP11N52K3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP11N52K3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 525 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.51 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP11N52K3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP11N52K3 даташит

 ..1. Size:1155K  st
stb11n52k3 stf11n52k3 stp11n52k3.pdfpdf_icon

STP11N52K3

STB11N52K3, STF11N52K3 STP11N52K3 N-channel 525 V, 0.41 , 10 A SuperMESH3 Power MOSFET in D PAK,TO-220FP and TO-220 packages Datasheet production data Features TAB RDS(on) Order codes VDSS max. ID Pw STB11N52K3 125 W 3 3 2 2 1 1 STF11N52K3 525 V

 8.1. Size:943K  st
stb11nm80 stf11nm80 stw11nm80 stp11nm80.pdfpdf_icon

STP11N52K3

STB11NM80, STF11NM80 STP11NM80, STW11NM80 N-channel 800 V, 0.35 , 11 A MDmesh Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, TO-247 Features RDS(on) Type VDSS RDS(on)*Qg ID max 3 1 3 STB11NM80 2 D PAK 1 STF11NM80 TO-247 800 V

 8.2. Size:1017K  st
stb11n65m5 std11n65m5 stf11n65m5 stp11n65m5.pdfpdf_icon

STP11N52K3

STB11N65M5, STD11N65M5 STF11N65M5, STP11N65M5 Datasheet N-channel 650 V, 0.43 typ., 9 A MDmesh M5 Power MOSFETs in a DPAK, D PAK, TO-220FP and TO-220 packages Features TAB TAB 3 2 VDS @ 3 1 1 RDS(on)max. ID Order code DPAK 2 D PAK Tjmax. TAB STB11N65M5 STD11N65M5 710 V 0.48 9 A 3 2 3 1 STF11N65M5 2 1 TO-220 TO-220FP STP11N65M5 D(2, TAB) Extremel

 8.3. Size:624K  st
stb11nm60t4 stp11nm60.pdfpdf_icon

STP11N52K3

STB11NM60T4, STP11NM60 Datasheet N-channel 600 V, 0.4 typ., 11 A, MDmesh II Power MOSFETs in D PAK and TO-220 packages Features VDSS TAB RDS(on) max. ID TAB Order codes Package (@ TJmax) STB11NM60T4 D PAK 3 650 V 0.45 11 A 1 3 2 STP11NM60 TO-220 D PAK TO-220 2 1 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance D(2

Другие IGBT... STP10NK70Z, STP10NK70ZFP, STP10NK80Z, STP10NK80ZFP, STP10NM50N, STP10NM60N, STP10NM60ND, STP10NM65N, IRFB4115, STP11NK40Z, STP11NK40ZFP, STP11NK50Z, STP11NK50ZFP, STP11NM50N, STP11NM60, STP11NM60FD, STP11NM60ND