STP11NK50Z MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

STP11NK50Z MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP11NK50Z

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 173 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm

Encapsulados: TO220

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STP11NK50Z datasheet

..1. Size:585K st
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STP11NK50Z - STP11NK50ZFP STB11NK50Z N-CHANNEL 500V - 0.48 - 10A TO-220/TO-220FP/D2PAK Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STB11NK50Z 500 V

..2. Size:413K st
stb11nk50z stp11nk50zfp stp11nk50z.pdf pdf_icon

STB11NK50Z - STP11NK50ZFP STP11NK50Z N-channel 500 V, 0.48 , 10 A TO-220, TO-220FP, D2PAK Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID Pw max STB11NK50Z 500 V

7.1. Size:579K st
stp11nk40z.pdf pdf_icon

STP11NK40Z - STP11NK40ZFP STB11NK40Z N-CHANNEL 400V - 0.49 - 9A TO-220/TO-220FP/D2PAK Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP11NK40Z 400 V

7.2. Size:501K st
stb11nk40z stp11nk40zfp stp11nk40z.pdf pdf_icon

STB11NK40Z, STP11NK40ZFP STP11NK40Z N-channel 400 V, 0.49 , 9 A, TO-220, TO-220FP, D2PAK Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID Pw STB11NK40Z 400V

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