STP11NK50Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP11NK50Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 173 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP11NK50Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP11NK50Z даташит

 ..1. Size:585K  st
 stp11nk50z.pdf pdf_icon

STP11NK50Z

STP11NK50Z - STP11NK50ZFP STB11NK50Z N-CHANNEL 500V - 0.48 - 10A TO-220/TO-220FP/D2PAK Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STB11NK50Z 500 V

 ..2. Size:413K  st
 stb11nk50z stp11nk50zfp stp11nk50z.pdf pdf_icon

STP11NK50Z

STB11NK50Z - STP11NK50ZFP STP11NK50Z N-channel 500 V, 0.48 , 10 A TO-220, TO-220FP, D2PAK Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID Pw max STB11NK50Z 500 V

 7.1. Size:579K  st
 stp11nk40z.pdf pdf_icon

STP11NK50Z

STP11NK40Z - STP11NK40ZFP STB11NK40Z N-CHANNEL 400V - 0.49 - 9A TO-220/TO-220FP/D2PAK Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP11NK40Z 400 V

 7.2. Size:501K  st
 stb11nk40z stp11nk40zfp stp11nk40z.pdf pdf_icon

STP11NK50Z

STB11NK40Z, STP11NK40ZFP STP11NK40Z N-channel 400 V, 0.49 , 9 A, TO-220, TO-220FP, D2PAK Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID Pw STB11NK40Z 400V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STP10NK80ZFP, STP10NM50N, STP10NM60N, STP10NM60ND, STP10NM65N, STP11N52K3, STP11NK40Z, STP11NK40ZFP, 8205A, STP11NK50ZFP, STP11NM50N, STP11NM60, STP11NM60FD, STP11NM60ND, STP11NM80, STP120N4F6, STP120NF04