STP11NM60FD MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

STP11NM60FD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP11NM60FD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm

Encapsulados: TO220

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STP11NM60FD datasheet

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STP11NM60FD STP11NM60FDFP - STB11NM60FD-1 N-CHANNEL 600V - 0.40 - 11A TO-220 / TO-220FP/I2PAK FDmesh Power MOSFET (with FAST DIODE) TYPE VDSS RDS(on) ID STP11NM60FD 600 V

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stb11nm60fd stb11nm60fd-1 stp11nm60fd stp11nm60fdfp.pdf pdf_icon

STB11NM60FD - STB11NM60FD-1 STP11NM60FD - STP11NM60FDFP N-channel 600V - 0.40 - 11A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK FDmesh Power MOSFET (with fast diode) General features Type VDSS RDS(on) ID 3 2 3 STB11NM60FD 600V

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STP11NM60 - STP11NM60FP STB11NM60 - STB11NM60-1 N-channel 650V @ TJmax - 0.4 - 11A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh Power MOSFET General features VDSS Type RDS(on) ID (@TJ=TJmax) 3 3 2 2 1 1 STP11NM60 650V

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