STP120N4F6 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP120N4F6

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 650 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0043 Ohm

Encapsulados: TO220

 Búsqueda de reemplazo de STP120N4F6 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

STP120N4F6 datasheet

 ..1. Size:740K  st
 stp120n4f6.pdf pdf_icon

STP120N4F6

STP120N4F6 N-channel 40 V, 3.8 m , 80 A, TO-220 STripFET VI DeepGATE Power MOSFET Features RDS(on) Order code VDSS ID max. STP120N4F6 40 V 4.3 m 80 A (1) 1. Current limited by package 3 Standard threshold drive 2 1 100% avalanche tested TO-220 Application Switching applications Automotive Figure 1. Internal schematic diagram Description This devi

 ..2. Size:918K  st
 std120n4f6 stp120n4f6 stb120n4f6.pdf pdf_icon

STP120N4F6

 7.1. Size:530K  st
 stb120nh03l sti120nh03l stp120nh03l.pdf pdf_icon

STP120N4F6

STB120NH03L - STI120NH03L STP120NH03L N-channel 30V - 0.005 - 60A - TO-220 / D2PAK / I2PAK STripFET Power MOSFET for DC-DC conversion General features Type VDSS RDS(on) ID STB120NH03L 30V

 7.2. Size:306K  st
 stp120nf04.pdf pdf_icon

STP120N4F6

STP120NF04 N-channel 40V - 0.0047 - 120A TO-220 STripFET II MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID Pw STP120NF04 40V

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... STP11NK40ZFP, STP11NK50Z, STP11NK50ZFP, STP11NM50N, STP11NM60, STP11NM60FD, STP11NM60ND, STP11NM80, STP75NF75, STP120NF04, STP120NF10, STP12N120K5, STP12N65M5, STP12NK30Z, STP12NK60Z, STP12NK80Z, STP12NM50