STP120N4F6 - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

STP120N4F6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP120N4F6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0043 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP120N4F6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

STP120N4F6 даташит

..1. Size:740K st
stp120n4f6.pdf pdf_icon

STP120N4F6 N-channel 40 V, 3.8 m , 80 A, TO-220 STripFET VI DeepGATE Power MOSFET Features RDS(on) Order code VDSS ID max. STP120N4F6 40 V 4.3 m 80 A (1) 1. Current limited by package 3 Standard threshold drive 2 1 100% avalanche tested TO-220 Application Switching applications Automotive Figure 1. Internal schematic diagram Description This devi

..2. Size:918K st
std120n4f6 stp120n4f6 stb120n4f6.pdf pdf_icon

7.1. Size:530K st
stb120nh03l sti120nh03l stp120nh03l.pdf pdf_icon

STB120NH03L - STI120NH03L STP120NH03L N-channel 30V - 0.005 - 60A - TO-220 / D2PAK / I2PAK STripFET Power MOSFET for DC-DC conversion General features Type VDSS RDS(on) ID STB120NH03L 30V

7.2. Size:306K st
stp120nf04.pdf pdf_icon