STP14NF10 Todos los transistores

 

STP14NF10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP14NF10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 60 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 15.5 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.13 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220

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STP14NF10 Datasheet (PDF)

1.1. stp14nf10.pdf Size:263K _st

STP14NF10
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STP14NF10 N-channel 100 V - 0.115 ? - 15 A - TO-220 low gate charge STripFET II Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) max ID STP14NF10 100 V < 0.13 ? 15 A Exceptional dv/dt capability 3 100% avalanche tested 2 1 Application oriented characterization TO-220 Application Switching applications Description This Power MOSFET series realized with Figure 1. Internal schemati

2.1. stp14nf12 stp14nf12fp.pdf Size:313K _st

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STP14NF12 STP14NF12FP N-channel 120V - 0.16? - 14A - TO-220/TO-220FP Low gate charge STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STP14NF12 120V <0.18? 14A STP14NF12FP 120V <0.18? 14A 3 3 2 2 Exceptional dv/dt capability 1 1 Application oriented characterization TO-220FP TO-220 Description This Power MOSFET series realized with STMicroelectronics unique

2.2. stp14nf12.pdf Size:345K _st

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STP14NF12 STP14NF12FP N-CHANNEL 120V - 0.16? - 14A TO-220/TO-220FP LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP14NF12 120 V < 0.18 ? 14 A STP14NF12FP 120 V < 0.18 ? 14 A TYPICAL RDS(on) = 0.16? EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY APPLICATION ORIENTED 3 3 CHARACTERIZATION 2 2 1 1 TO-220 TO-220FP DESCRIPTION This Power MOSFET series realized with STMicro- electronics

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