STP14NF10 Todos los transistores

 

STP14NF10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP14NF10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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STP14NF10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:263K  st
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STP14NF10

STP14NF10N-channel 100 V - 0.115 - 15 A - TO-220low gate charge STripFET II Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTP14NF10 100 V

 6.1. Size:345K  st
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STP14NF10

STP14NF12STP14NF12FPN-CHANNEL 120V - 0.16 - 14A TO-220/TO-220FPLOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP14NF12 120 V

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 stp14nf12 stp14nf12fp.pdf pdf_icon

STP14NF10

STP14NF12STP14NF12FPN-channel 120V - 0.16 - 14A - TO-220/TO-220FPLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP14NF12 120V

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 stp14nf06.pdf pdf_icon

STP14NF10

STP14NF06N-CHANNEL 60V - 0.1 - 14A TO-220STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP14NF10 60 V

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History: FQI9N08TU | IXFP20N50P3 | 2SK947-MR | IRFP450A | HFP50N06A | JCS650C

 

 
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