STP14NF10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP14NF10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP14NF10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP14NF10 даташит

 ..1. Size:263K  st
 stp14nf10.pdf pdf_icon

STP14NF10

STP14NF10 N-channel 100 V - 0.115 - 15 A - TO-220 low gate charge STripFET II Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) max ID STP14NF10 100 V

 6.1. Size:345K  st
 stp14nf12.pdf pdf_icon

STP14NF10

STP14NF12 STP14NF12FP N-CHANNEL 120V - 0.16 - 14A TO-220/TO-220FP LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP14NF12 120 V

 6.2. Size:313K  st
 stp14nf12 stp14nf12fp.pdf pdf_icon

STP14NF10

STP14NF12 STP14NF12FP N-channel 120V - 0.16 - 14A - TO-220/TO-220FP Low gate charge STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STP14NF12 120V

 7.1. Size:247K  st
 stp14nf06.pdf pdf_icon

STP14NF10

STP14NF06 N-CHANNEL 60V - 0.1 - 14A TO-220 STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP14NF10 60 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STP130NH02L, STP13N95K3, STP13NK60Z, STP13NK60ZFP, STP13NM60N, STP140NF55, STP140NF75, STP141NF55, AON6380, STP14NF12, STP14NF12FP, STP14NK50Z, STP14NK60Z, STP14NM50N, STP14NM65N, STP150N3LLH6, STP150NF55