STP150NF55 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STP150NF55
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 180 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1050 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
Encapsulados: TO220
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STP150NF55 datasheet
stb150nf55 stp150nf55 stw150nf55.pdf
STB150NF55 STP150NF55 - STW150NF55 N-channel 55V - 0.005 - 120A - D2PAK/TO-220/TO-247 STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB150NF55 55V
stp150nf04.pdf
STP150NF04 N-channel 40 V, 0.005 typ., 80 A STripFET II Power MOSFET in a TO-220 package Datasheet production data Features RDS(on) Type VDSS ID TAB max STP150NF04 40 V
stb150nf04 stp150nf04.pdf
STB150NF04 STP150NF04 N-channel 40 V, 0.005 , 80 A, TO-220, D2PAK STripFET II Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STB150NF04 40 V
std150n3llh6 stp150n3llh6 stu150n3llh6.pdf
STD150N3LLH6 STP150N3LLH6, STU150N3LLH6 N-channel 30 V, 0.0024 , 80 A, DPAK, IPAK, TO-220 STripFET VI DeepGATE Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) max ID STD150N3LLH6 30 V 0.0028 80 A 3 3 2 STP150N3LLH6 30 V 0.0033 80 A 1 1 STu150N3LLH6 30 V 0.0033 80 A IPAK DPAK RDS(on) * Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on) 3 2 Hi
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History: CS2N70A6
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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