STP150NF55. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP150NF55

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 180 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1050 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP150NF55

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP150NF55 даташит

 ..1. Size:564K  st
stb150nf55 stp150nf55 stw150nf55.pdfpdf_icon

STP150NF55

STB150NF55 STP150NF55 - STW150NF55 N-channel 55V - 0.005 - 120A - D2PAK/TO-220/TO-247 STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB150NF55 55V

 6.1. Size:391K  st
stp150nf04.pdfpdf_icon

STP150NF55

STP150NF04 N-channel 40 V, 0.005 typ., 80 A STripFET II Power MOSFET in a TO-220 package Datasheet production data Features RDS(on) Type VDSS ID TAB max STP150NF04 40 V

 6.2. Size:495K  st
stb150nf04 stp150nf04.pdfpdf_icon

STP150NF55

STB150NF04 STP150NF04 N-channel 40 V, 0.005 , 80 A, TO-220, D2PAK STripFET II Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STB150NF04 40 V

 7.1. Size:945K  st
std150n3llh6 stp150n3llh6 stu150n3llh6.pdfpdf_icon

STP150NF55

STD150N3LLH6 STP150N3LLH6, STU150N3LLH6 N-channel 30 V, 0.0024 , 80 A, DPAK, IPAK, TO-220 STripFET VI DeepGATE Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) max ID STD150N3LLH6 30 V 0.0028 80 A 3 3 2 STP150N3LLH6 30 V 0.0033 80 A 1 1 STu150N3LLH6 30 V 0.0033 80 A IPAK DPAK RDS(on) * Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on) 3 2 Hi

Другие IGBT... STP14NF10, STP14NF12, STP14NF12FP, STP14NK50Z, STP14NK60Z, STP14NM50N, STP14NM65N, STP150N3LLH6, AO4407, STP15NK50Z, STP15NM60ND, STP15NM65N, STP160N75F3, STP165N10F4, STP16N65M5, STP16NF06, STP16NF06L