STP19NM50N MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

STP19NM50N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP19NM50N

Código: 19NM50N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 34 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm

Encapsulados: TO220

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STP19NM50N datasheet

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stf19nm50n stp19nm50n stw19nm50n.pdf pdf_icon

STF19NM50N STP19NM50N, STW19NM50N N-channel 500 V, 0.2 , 14 A MDmesh II Power MOSFET in TO-220FP, TO-220 and TO-247 Features VDSS @ RDS(on) Type ID TJmax max 3 3 STF19NM50N 2 2 1 1 STP19NM50N 550 V

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stb19nm65n sti19nm65n stf19nm65n stp19nm65n stw19nm65n.pdf pdf_icon

STF19NM65N-STI19NM65N-STW19NM65N STB19NM65N - STP19NM65N N-channel 650 V - 0.25 - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247 second generation MDmesh Power MOSFET Features VDSS Type RDS(on) max ID (@Tjmax) 3 2 3 1 2 1 STB19NM65N 710 V

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stb19nf20 stf19nf20 stp19nf20.pdf pdf_icon

STB19NF20, STF19NF20, STP19NF20 N-channel 200 V, 0.15 typ., 15 A MESH OVERLAY Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP and TO-220 packages Datasheet production data Features TAB Type VDSS RDS(on) ID pw STB19NF20 200V