STP19NM50N - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

STP19NM50N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP19NM50N

Маркировка: 19NM50N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 34 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP19NM50N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

STP19NM50N даташит

..1. Size:709K st
stf19nm50n stp19nm50n stw19nm50n.pdf pdf_icon

STF19NM50N STP19NM50N, STW19NM50N N-channel 500 V, 0.2 , 14 A MDmesh II Power MOSFET in TO-220FP, TO-220 and TO-247 Features VDSS @ RDS(on) Type ID TJmax max 3 3 STF19NM50N 2 2 1 1 STP19NM50N 550 V

7.1. Size:543K st
stb19nm65n sti19nm65n stf19nm65n stp19nm65n stw19nm65n.pdf pdf_icon

STF19NM65N-STI19NM65N-STW19NM65N STB19NM65N - STP19NM65N N-channel 650 V - 0.25 - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247 second generation MDmesh Power MOSFET Features VDSS Type RDS(on) max ID (@Tjmax) 3 2 3 1 2 1 STB19NM65N 710 V

7.2. Size:538K st
stb19nm65n stf19nm65n sti19nm65n stp19nm65n stw19nm65n.pdf pdf_icon

8.1. Size:582K st
stb19nf20 stf19nf20 stp19nf20.pdf pdf_icon

STB19NF20, STF19NF20, STP19NF20 N-channel 200 V, 0.15 typ., 15 A MESH OVERLAY Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP and TO-220 packages Datasheet production data Features TAB Type VDSS RDS(on) ID pw STB19NF20 200V