STP200N4F3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STP200N4F3
Código: 200N4F3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
Qgⓘ - Carga de la puerta: 75 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 180 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1270 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm
Encapsulados: TO220
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STP200N4F3 datasheet
stb200n4f3 stp200n4f3.pdf
STP200N4F3 STB200N4F3 N-channel 40 V, 0.0025 , 120 A, D2PAK, TO-220 planar STripFET Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) max ID Pw STB200N4F3 40 V
stp200n3ll.pdf
STP200N3LL N-channel 30 V, 2.15 m typ., 120 A Power MOSFET in a TO-220 package Datasheet - production data Features R DS(on) Order code V I P DS D TOT max. STP200N3LL 30 V 2.4 m 120 A 176.5 W Very low on-resistance Very low gate charge High avalanche ruggedness Low gate drive power loss Applications Switching applications Figure 1 Interna
stp200nf04 stb200nf04 stb200nf04-1.pdf
STP200NF04 STB200NF04 - STB200NF04-1 N-CHANNEL 40V - 120 A - 3.3 m TO-220/D PAK/I PAK STripFET II MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package Type VDSS RDS(on) ID Pw STB200NF04 40 V
stb200n6f3 sti200n6f3 stp200n6f3.pdf
STB200N6F3, STI200N6F3 STP200N6F3 N-channel 60 V, 3 m , 120 A D2PAK, TO-220, I2PAK STripFET Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID Pw STB200N6F3 60 V
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History: NCE30H15
🌐 : EN ES РУ
Liste
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