STP200N6F3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP200N6F3

Código: 200N6F3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 330 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 101 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1295 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm

Encapsulados: TO220

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STP200N6F3 datasheet

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STP200N6F3

STB200N6F3, STI200N6F3 STP200N6F3 N-channel 60 V, 3 m , 120 A D2PAK, TO-220, I2PAK STripFET Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID Pw STB200N6F3 60 V

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STP200N6F3

STP200N3LL N-channel 30 V, 2.15 m typ., 120 A Power MOSFET in a TO-220 package Datasheet - production data Features R DS(on) Order code V I P DS D TOT max. STP200N3LL 30 V 2.4 m 120 A 176.5 W Very low on-resistance Very low gate charge High avalanche ruggedness Low gate drive power loss Applications Switching applications Figure 1 Interna

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STP200N6F3

STP200NF04 STB200NF04 - STB200NF04-1 N-CHANNEL 40V - 120 A - 3.3 m TO-220/D PAK/I PAK STripFET II MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package Type VDSS RDS(on) ID Pw STB200NF04 40 V

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STP200N6F3

STP200NF04L STB200NF04L - STB200NF04L-1 N-CHANNEL 40V - 3 m - 120 A TO-220/D PAK/I PAK STripFET II MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) ID STB200NF04L 40 V 3.5 m 120 A STP200NF04L 40 V 3.8 m 120 A STB200NF04L-1 40 V 3.8 m 120 A TYPICAL RDS(on) = 3m 3 3 2 1 1 100% AVALANCHE TESTED TO-220 D PAK LOW THERESHOLD DRIVE DESCRIPT

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