Справочник MOSFET. STP200N6F3

 

STP200N6F3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STP200N6F3
   Маркировка: 200N6F3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 330 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 101 nC
   Время нарастания (tr): 75 ns
   Выходная емкость (Cd): 1295 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0038 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для STP200N6F3

 

 

STP200N6F3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:854K  st
stb200n6f3 sti200n6f3 stp200n6f3.pdf

STP200N6F3
STP200N6F3

STB200N6F3, STI200N6F3STP200N6F3N-channel 60 V, 3 m, 120 A D2PAK, TO-220, I2PAKSTripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID PwSTB200N6F3 60 V

 7.1. Size:675K  1
stp200n3ll.pdf

STP200N6F3
STP200N6F3

STP200N3LL N-channel 30 V, 2.15 m typ., 120 A Power MOSFET in a TO-220 package Datasheet - production data Features R DS(on)Order code V I P DS D TOTmax. STP200N3LL 30 V 2.4 m 120 A 176.5 W Very low on-resistance Very low gate charge High avalanche ruggedness Low gate drive power loss Applications Switching applications Figure 1: Interna

 7.2. Size:404K  st
stp200nf04 stb200nf04 stb200nf04-1.pdf

STP200N6F3
STP200N6F3

STP200NF04STB200NF04 - STB200NF04-1N-CHANNEL 40V - 120 A - 3.3 m TO-220/DPAK/IPAKSTripFETII MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageType VDSS RDS(on) ID PwSTB200NF04 40 V

 7.3. Size:354K  st
stp200nf04l stb200nf04l stb200nf04l-1.pdf

STP200N6F3
STP200N6F3

STP200NF04LSTB200NF04L - STB200NF04L-1N-CHANNEL 40V - 3 m - 120 A TO-220/DPAK/IPAKSTripFET II MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) IDSTB200NF04L 40 V 3.5 m 120 ASTP200NF04L 40 V 3.8 m 120 ASTB200NF04L-1 40 V 3.8 m 120 A TYPICAL RDS(on) = 3m 33211 100% AVALANCHE TESTEDTO-220DPAK LOW THERESHOLD DRIVEDESCRIPT

 7.4. Size:557K  st
stp200nf03.pdf

STP200N6F3
STP200N6F3

STP200NF03STB200NF03 STB200NF03-1N-CHANNEL 30V - 0.0032 - 120A DPAK/IPAK/TO-220STripFET II POWER MOSFETAUTOMOTIVE SPECIFICTYPE VDSS RDS(on) IDSTB200NF03/-1 30 V

 7.5. Size:407K  st
stb200n4f3 stp200n4f3.pdf

STP200N6F3
STP200N6F3

STP200N4F3STB200N4F3N-channel 40 V, 0.0025 , 120 A, D2PAK, TO-220planar STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max ID PwSTB200N4F3 40 V

 7.6. Size:447K  st
stb200nf03-1 stb200nf03t4 stp200nf03 stb200nf03 stb200nf03-1.pdf

STP200N6F3
STP200N6F3

STP200NF03STB200NF03 - STB200NF03-1N-channel 30V - 0.0032 - 120A - D2PAK/I2PAK/TO-220STripFET III Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP200NF03 30V

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top