STP20NM50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STP20NM50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 285 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de STP20NM50 MOSFET
STP20NM50 Datasheet (PDF)
stb20nm50 stb20nm50-1 stp20nm50 stp20nm50fp.pdf
STB20NM50 - STB20NM50-1STP20NM50 - STP20NM50FPN-channel 500V - 0.20 - 20A - TO220/FP-D2PAK-I2PAKMDmesh Power MOSFETGeneral featuresVDSS Type RDS(on) ID(@TJmax)332STB20NM50 550V
stp20nm50.pdf
STP20NM50 - STP20NM50FPSTB20NM50 - STB20NM50-1N-CHANNEL 500V - 0.20 - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAKMDmeshPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP20NM50/FP 500V
stb20nm50-1 stb20nm50 stb20nm50t4 stp20nm50fp.pdf
STB20NM50 - STB20NM50-1STP20NM50 - STP20NM50FPN-channel 500V - 0.20 - 20A - TO220/FP-D2PAK-I2PAKMDmesh Power MOSFETGeneral featuresVDSS Type RDS(on) ID(@TJmax)332STB20NM50 550V
stb20nm50fd stf20nm50fd stp20nm50fd.pdf
STB20NM50FDSTF20NM50FD - STP20NM50FDN-channel 500 V, 0.22 , 20 A D2PAK, TO-220FP, TO-220FDmesh Power MOSFET (with fast diode)FeaturesRDS(on) Type VDSS RDS(on)* Qg IDmaxSTB20NM50FD 500 V
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History: TPC8078 | IPP039N04LG | CS4N60ARRD | HRP85N08K | STP6NM60N | STP24N60M2 | STB11N52K3
History: TPC8078 | IPP039N04LG | CS4N60ARRD | HRP85N08K | STP6NM60N | STP24N60M2 | STB11N52K3
Liste
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