Справочник MOSFET. STP20NM50

 

STP20NM50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP20NM50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STP20NM50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:315K  st
 stb20nm50 stb20nm50-1 stp20nm50 stp20nm50fp.pdf pdf_icon

STP20NM50

STB20NM50 - STB20NM50-1STP20NM50 - STP20NM50FPN-channel 500V - 0.20 - 20A - TO220/FP-D2PAK-I2PAKMDmesh Power MOSFETGeneral featuresVDSS Type RDS(on) ID(@TJmax)332STB20NM50 550V

 ..2. Size:532K  st
 stp20nm50.pdf pdf_icon

STP20NM50

STP20NM50 - STP20NM50FPSTB20NM50 - STB20NM50-1N-CHANNEL 500V - 0.20 - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAKMDmeshPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP20NM50/FP 500V

 0.1. Size:313K  st
 stb20nm50-1 stb20nm50 stb20nm50t4 stp20nm50fp.pdf pdf_icon

STP20NM50

STB20NM50 - STB20NM50-1STP20NM50 - STP20NM50FPN-channel 500V - 0.20 - 20A - TO220/FP-D2PAK-I2PAKMDmesh Power MOSFETGeneral featuresVDSS Type RDS(on) ID(@TJmax)332STB20NM50 550V

 0.2. Size:401K  st
 stb20nm50fd stf20nm50fd stp20nm50fd.pdf pdf_icon

STP20NM50

STB20NM50FDSTF20NM50FD - STP20NM50FDN-channel 500 V, 0.22 , 20 A D2PAK, TO-220FP, TO-220FDmesh Power MOSFET (with fast diode)FeaturesRDS(on) Type VDSS RDS(on)* Qg IDmaxSTB20NM50FD 500 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FDMS0309AS | NTMD6N03R2

 

 
Back to Top

 


 
.