STP20NM50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP20NM50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP20NM50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP20NM50 даташит

 ..1. Size:315K  st
 stb20nm50 stb20nm50-1 stp20nm50 stp20nm50fp.pdf pdf_icon

STP20NM50

STB20NM50 - STB20NM50-1 STP20NM50 - STP20NM50FP N-channel 500V - 0.20 - 20A - TO220/FP-D2PAK-I2PAK MDmesh Power MOSFET General features VDSS Type RDS(on) ID (@TJmax) 3 3 2 STB20NM50 550V

 ..2. Size:532K  st
 stp20nm50.pdf pdf_icon

STP20NM50

STP20NM50 - STP20NM50FP STB20NM50 - STB20NM50-1 N-CHANNEL 500V - 0.20 - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP20NM50/FP 500V

 0.1. Size:313K  st
 stb20nm50-1 stb20nm50 stb20nm50t4 stp20nm50fp.pdf pdf_icon

STP20NM50

STB20NM50 - STB20NM50-1 STP20NM50 - STP20NM50FP N-channel 500V - 0.20 - 20A - TO220/FP-D2PAK-I2PAK MDmesh Power MOSFET General features VDSS Type RDS(on) ID (@TJmax) 3 3 2 STB20NM50 550V

 0.2. Size:401K  st
 stb20nm50fd stf20nm50fd stp20nm50fd.pdf pdf_icon

STP20NM50

STB20NM50FD STF20NM50FD - STP20NM50FD N-channel 500 V, 0.22 , 20 A D2PAK, TO-220FP, TO-220 FDmesh Power MOSFET (with fast diode) Features RDS(on) Type VDSS RDS(on)* Qg ID max STB20NM50FD 500 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STP200NF03, STP200NF04, STP200NF04L, STP20N95K5, STP20NF06, STP20NF06L, STP20NF20, STP20NK50Z, RU7088R, STP20NM50FD, STP20NM60, STP20NM60FD, STP20NM60FP, STP20NM65N, STP210N75F6, STP21N65M5, STP21N90K5