STP20NM60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STP20NM60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.29 Ohm
Encapsulados: TO220
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STP20NM60 datasheet
stb20nm60 stp20nm60fp stp20nm60 stw20nm60.pdf
STB20NM60-1 - STP20NM60FP STB20NM60 - STP20NM60 - STW20NM60 N-channel 600V - 0.25 - 20A - TO-247 - TO-220/FP - D2/I2PAK MDmesh Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID 3 1 STP20NM60 600V
stp20nm60.pdf
STP20NM60 - STP20NM60FP STB20NM60 STB20NM60-1 N-CHANNEL 600V - 0.25 - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP20NM60 600 V
stb20nm60-1 stp20nm60fp stb20nm60 stp20nm60 stw20nm60.pdf
STB20NM60-1 - STP20NM60FP STB20NM60 - STP20NM60 - STW20NM60 N-channel 600V - 0.25 - 20A - TO-247 - TO-220/FP - D2/I2PAK MDmesh Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID 3 1 STP20NM60 600V
stp20nm60.pdf
INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor STP20NM60 FEATURES Typical R (on)=0.25 DS Low input capacitance and gate charge Low gate input resistances 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Suitable for increasing power density of high voltage converters allowing system miniat
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History: AP4411GM
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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