STP20NM60FD MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

STP20NM60FD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP20NM60FD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.29 Ohm

Encapsulados: TO220

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STP20NM60FD datasheet

..1. Size:344K st
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STF20NM60D - STP20NM60FD STW20NM60FD N-channel 600V - 0.26 - 20A - TO-220 - TO-220FP - TO-247 FDmesh Power MOSFET (with fast diode) General features Type VDSS RDS(on) ID Pw STF20NM60D 600V

4.1. Size:444K st
stb20nm60 stp20nm60fp stp20nm60 stw20nm60.pdf pdf_icon

STB20NM60-1 - STP20NM60FP STB20NM60 - STP20NM60 - STW20NM60 N-channel 600V - 0.25 - 20A - TO-247 - TO-220/FP - D2/I2PAK MDmesh Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID 3 1 STP20NM60 600V

4.2. Size:437K st
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STB20NM60-1 - STP20NM60FP STB20NM60 - STP20NM60 - STW20NM60 N-channel 600V - 0.25 - 20A - TO-247 - TO-220/FP - D2/I2PAK MDmesh Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID 3 1 STP20NM60 600V

4.3. Size:255K inchange semiconductor
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isc N-Channel MOSFET Transistor STP20NM60FP FEATURES With TO-220F packaging High speed switching Low gate input resistance Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL

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