STP21N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STP21N65M5
Código: 21N65M5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 50 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 46 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
STP21N65M5 Datasheet (PDF)
stb21n65m5 stf21n65m5 sti21n65m5 stp21n65m5 stw21n65m5.pdf

STB21N65M5, STF21N65M5STI21N65M5, STP21N65M5, STW21N65M5N-channel 650 V, 0.175 , 17 A MDmesh V Power MOSFETD2PAK, TO-220FP, TO-220, I2PAK, TO-247FeaturesVDSS @ RDS(on) Type ID PWTJmax max3231STB21N65M5 17 A 125 W 21TO-220STF21N65M5 17 A(1) 30 WIPAKSTI21N65M5 710 V
stp21n06.pdf

STP21N06LSTP21N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP21N06L 60 V
stp21n06l.pdf

STP21N06LSTP21N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP21N06L 60 V
stp21nm60n stf21nm60n stb21nm60n stb21nm60n-1 stw21nm60n.pdf

STP21NM60N-F21NM60N-STW21NM60NSTB21NM60N-STB21NM60N-1N-channel 600 V - 0.17 - 17 A TO-220 - TO-220FP - D2PAK -I2PAK - TO-247 second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) max3332 121STB21NM60N 650 V
Otros transistores... STP20NK50Z , STP20NM50 , STP20NM50FD , STP20NM60 , STP20NM60FD , STP20NM60FP , STP20NM65N , STP210N75F6 , BS170 , STP21N90K5 , STP21NM60ND , STP22NF03L , STP22NM60N , STP22NS25Z , STP23NM50N , STP23NM60ND , STP24NF10 .
History: P0403BT | G60N04 | IPB80P03P4L-07
History: P0403BT | G60N04 | IPB80P03P4L-07



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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