STP21N65M5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP21N65M5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP21N65M5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP21N65M5 даташит

 ..1. Size:1270K  st
stb21n65m5 stf21n65m5 sti21n65m5 stp21n65m5 stw21n65m5.pdfpdf_icon

STP21N65M5

STB21N65M5, STF21N65M5 STI21N65M5, STP21N65M5, STW21N65M5 N-channel 650 V, 0.175 , 17 A MDmesh V Power MOSFET D2PAK, TO-220FP, TO-220, I2PAK, TO-247 Features VDSS @ RDS(on) Type ID PW TJmax max 3 2 3 1 STB21N65M5 17 A 125 W 2 1 TO-220 STF21N65M5 17 A(1) 30 W I PAK STI21N65M5 710 V

 8.1. Size:197K  st
stp21n06.pdfpdf_icon

STP21N65M5

STP21N06L STP21N06LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STP21N06L 60 V

 8.2. Size:383K  st
stp21n06l.pdfpdf_icon

STP21N65M5

STP21N06L STP21N06LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP21N06L 60 V

 8.3. Size:561K  st
stp21nm60n stf21nm60n stb21nm60n stb21nm60n-1 stw21nm60n.pdfpdf_icon

STP21N65M5

STP21NM60N-F21NM60N-STW21NM60N STB21NM60N-STB21NM60N-1 N-channel 600 V - 0.17 - 17 A TO-220 - TO-220FP - D2PAK - I2PAK - TO-247 second generation MDmesh Power MOSFET Features VDSS RDS(on) Type ID (@Tjmax) max 3 3 3 2 1 2 1 STB21NM60N 650 V

Другие IGBT... STP20NK50Z, STP20NM50, STP20NM50FD, STP20NM60, STP20NM60FD, STP20NM60FP, STP20NM65N, STP210N75F6, IRF730, STP21N90K5, STP21NM60ND, STP22NF03L, STP22NM60N, STP22NS25Z, STP23NM50N, STP23NM60ND, STP24NF10