STP21N90K5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STP21N90K5
   Código: 21N90K5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 43 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 112 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.299 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STP21N90K5

STP21N90K5 Datasheet (PDF)

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stb21n90k5 stf21n90k5 stp21n90k5 stw21n90k5.pdf

STB21N90K5, STF21N90K5, STP21N90K5,STW21N90K5N-channel 900 V, 0.25 typ., 18.5 A Zener-protected SuperMESH 5Power MOSFET in a D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet production dataFeaturesTABOrder codes VDSS RDS(on)max ID PW331STB21N90K5 250 W 21D2PAKTO-220FPSTF21N90K5 40 W900 V

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STP21N06LSTP21N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP21N06L 60 V

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STP21N06LSTP21N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP21N06L 60 V

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STP21NM60N-F21NM60N-STW21NM60NSTB21NM60N-STB21NM60N-1N-channel 600 V - 0.17 - 17 A TO-220 - TO-220FP - D2PAK -I2PAK - TO-247 second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) max3332 121STB21NM60N 650 V

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STP/F21NM60ND-STW21NM60NDSTB21NM60ND-STI21NM60NDN-channel 600 V, 0.17 , 17 A FDmesh II Power MOSFETD2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247FeaturesVDSS @ RDS(on) Type IDTJmax max 33 13221STB21NM60ND 650 V

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STP/F21NM50N - STW21NM50NSTB21NM50N - STB21NM50N-1N-channel 500V - 0.15 - 18A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247Second generation MDmesh Power MOSFETGeneral featuresVDSSType RDS(on) ID3(@Tjmax)3 132211STB21NM50N 550V

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STB21NM60ND, STF21NM60ND, STP21NM60ND, STW21NM60NDN-channel 600 V, 0.17 typ., 17 A FDmesh II Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABVDSS @ RDS(on) Order codes IDTJmax max331 21STB21NM60ND 650 V 0.22 17 AD2PAK TO-220FPSTF21NM60ND 650 V 0.22 17 ASTP21NM60ND 650 V 0.22 17 ATABSTW21NM60N

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STP21N05LSTP21N05LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP21N05L 50 V

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STB21N65M5, STF21N65M5STI21N65M5, STP21N65M5, STW21N65M5N-channel 650 V, 0.175 , 17 A MDmesh V Power MOSFETD2PAK, TO-220FP, TO-220, I2PAK, TO-247FeaturesVDSS @ RDS(on) Type ID PWTJmax max3231STB21N65M5 17 A 125 W 21TO-220STF21N65M5 17 A(1) 30 WIPAKSTI21N65M5 710 V

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