STP28NM50N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP28NM50N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 122 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.158 Ohm

Encapsulados: TO220

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STP28NM50N datasheet

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STP28NM50N

STB28NM50N, STF28NM50N STP28NM50N, STW28NM50N N-channel 500 V, 0.135 , 21 A D2PAK, TO-220, TO-220FP, TO-247 MDmesh II Power MOSFET Features VDSS RDS(on) Type ID (@Tjmax) max 3 3 2 2 1 1 STB28NM50N TO-220 TO-220FP STF28NM50N 550 V

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STP28NM50N

STB28NM60ND, STF28NM60ND, STP28NM60ND, STW28NM60ND N-channel 600 V, 0.13 typ., 23 A FDmesh II Power MOSFETs in D PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TAB VDS @ 2 Order codes RDS(on) max ID 3 TJ max. 1 3 2 1 2 STB28NM60ND D PAK TO-220FP STF28NM60ND TAB 650 V 0.150 23 A STP28NM60ND STW28NM60ND 3 3 3 2 2 1 2 1 1

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STP28NM50N

STB28N60M2, STI28N60M2, STP28N60M2, STW28N60M2 N-channel 600 V, 0.135 typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D PAK, I PAK, TO-220 and TO-247 Datasheet - production data Features Order code V @ T R max. I DS Jmax DS(on) D STB28N60M2 STI28N60M2 650 V 0.150 22 A STP28N60M2 STW28N60M2 Extremely low gate charge Excellent output capacitance (C ) profile

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STP28NM50N

STB28N65M2, STF28N65M2, STP28N65M2, STW28N65M2 N-channel 650 V, 0.15 typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - preliminary data Features TAB Order codes VDS RDS(on) max ID STB28N65M2 3 3 STF28N65M2 1 2 650 V 0.18 20 A 1 STP28N65M2 D2PAK TO-220FP STW28N65M2 TAB Extremely low gate charge Excellent output

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