STP40NF12 Todos los transistores

 

STP40NF12 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP40NF12
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 63 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 265 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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STP40NF12 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:246K  st
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STP40NF12

STP40NF12N-channel 120V - 0.028 - 40A TO-220Low gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP40NF12 120V

 6.1. Size:239K  st
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STP40NF12

STP40NF10LN-channel 100V - 0.028 - 40A TO-220Low gate charge STripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP40NF10L 100V

 6.2. Size:451K  st
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STP40NF12

STP40NF10N-channel 100 V, 0.025 , 50 A TO-220low gate charge STripFET II Power MOSFETFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max. IDSTP40NF10 100 V

 6.3. Size:685K  st
 stp40nf10 std40nf10.pdf pdf_icon

STP40NF12

STP40NF10STD40NF10 - STB40NF10N-CHANNEL 100V - 0.024 - 50A TO-220/DPAK/D2PAKLOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP40NF10 100 V

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History: NCEP40T35ALL | RJK03E8DPA | 1N65L-TA3-T | 1N60G-TND-R | SUP65P06-20 | PC015BD | IXTH12N65X2

 

 
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