STP40NF12 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP40NF12

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 120 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 63 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 265 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm

Encapsulados: TO220

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STP40NF12 datasheet

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STP40NF12

STP40NF12 N-channel 120V - 0.028 - 40A TO-220 Low gate charge STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STP40NF12 120V

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STP40NF12

STP40NF10L N-channel 100V - 0.028 - 40A TO-220 Low gate charge STripFET Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STP40NF10L 100V

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 stp40nf10.pdf pdf_icon

STP40NF12

STP40NF10 N-channel 100 V, 0.025 , 50 A TO-220 low gate charge STripFET II Power MOSFET Features Order code VDSS RDS(on) max. ID STP40NF10 100 V

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 stp40nf10 std40nf10.pdf pdf_icon

STP40NF12

STP40NF10 STD40NF10 - STB40NF10 N-CHANNEL 100V - 0.024 - 50A TO-220/DPAK/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP40NF10 100 V

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