Справочник MOSFET. STP40NF12

 

STP40NF12 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP40NF12
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 63 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 265 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STP40NF12 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:246K  st
 stp40nf12.pdf pdf_icon

STP40NF12

STP40NF12N-channel 120V - 0.028 - 40A TO-220Low gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP40NF12 120V

 6.1. Size:239K  st
 stp40nf10l.pdf pdf_icon

STP40NF12

STP40NF10LN-channel 100V - 0.028 - 40A TO-220Low gate charge STripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP40NF10L 100V

 6.2. Size:451K  st
 stp40nf10.pdf pdf_icon

STP40NF12

STP40NF10N-channel 100 V, 0.025 , 50 A TO-220low gate charge STripFET II Power MOSFETFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max. IDSTP40NF10 100 V

 6.3. Size:685K  st
 stp40nf10 std40nf10.pdf pdf_icon

STP40NF12

STP40NF10STD40NF10 - STB40NF10N-CHANNEL 100V - 0.024 - 50A TO-220/DPAK/D2PAKLOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP40NF10 100 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: HAT2210R | IXTP2N95

 

 
Back to Top

 


 
.