STP40NF12. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP40NF12

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 265 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP40NF12

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP40NF12 даташит

 ..1. Size:246K  st
 stp40nf12.pdf pdf_icon

STP40NF12

STP40NF12 N-channel 120V - 0.028 - 40A TO-220 Low gate charge STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STP40NF12 120V

 6.1. Size:239K  st
 stp40nf10l.pdf pdf_icon

STP40NF12

STP40NF10L N-channel 100V - 0.028 - 40A TO-220 Low gate charge STripFET Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STP40NF10L 100V

 6.2. Size:451K  st
 stp40nf10.pdf pdf_icon

STP40NF12

STP40NF10 N-channel 100 V, 0.025 , 50 A TO-220 low gate charge STripFET II Power MOSFET Features Order code VDSS RDS(on) max. ID STP40NF10 100 V

 6.3. Size:685K  st
 stp40nf10 std40nf10.pdf pdf_icon

STP40NF12

STP40NF10 STD40NF10 - STB40NF10 N-CHANNEL 100V - 0.024 - 50A TO-220/DPAK/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP40NF10 100 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STP3NK100Z, STP3NK60Z, STP3NK60ZFP, STP3NK80Z, STP3NK90Z, STP40NF03L, STP40NF10, STP40NF10L, 13N50, STP40NF20, STP42N65M5, STP45NF06, STP45NF3LL, STP4N150, STP4N20, STP4N52K3, STP4N62K3