STP4N150 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP4N150

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7 Ohm

Encapsulados: TO220

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STP4N150 datasheet

 ..1. Size:756K  st
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STP4N150

STFW4N150 STP4N150, STW4N150 N-channel 1500 V, 5 , 4 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-220, TO-247, TO-3PF Features Type VDSS RDS(on) max ID Pw STFW4N150 1500 V

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STP4N150

STP4N100 STP4N100FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP4N100 1000 V

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STP4N150

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STP4N150

STP4NK50Z - STP4NK50ZFP STD4NK50Z - STD4NK50Z-1 N-CHANNEL 500V - 2.4 - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP4NK50Z 500 V

Otros transistores... STP40NF03L, STP40NF10, STP40NF10L, STP40NF12, STP40NF20, STP42N65M5, STP45NF06, STP45NF3LL, IRFB3607, STP4N20, STP4N52K3, STP4N62K3, STP4NK50Z, STP4NK50ZD, STP4NK50ZFP, STP4NK60Z, STP4NK60ZFP