Справочник MOSFET. STP4N150

 

STP4N150 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP4N150
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для STP4N150

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP4N150 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:756K  st
stfw4n150 stp4n150 stw4n150.pdfpdf_icon

STP4N150

STFW4N150STP4N150, STW4N150N-channel 1500 V, 5 , 4 A, PowerMESH Power MOSFETin TO-220, TO-247, TO-3PFFeaturesType VDSS RDS(on) max ID PwSTFW4N150 1500 V

 8.1. Size:366K  st
stp4n100.pdfpdf_icon

STP4N150

STP4N100STP4N100FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP4N100 1000 V

 8.2. Size:291K  st
stp4n100xi.pdfpdf_icon

STP4N150

 9.1. Size:664K  st
stp4nk50z.pdfpdf_icon

STP4N150

STP4NK50Z - STP4NK50ZFPSTD4NK50Z - STD4NK50Z-1N-CHANNEL 500V - 2.4 - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAKZener-Protected SuperMESHPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTP4NK50Z 500 V

Другие MOSFET... STP40NF03L , STP40NF10 , STP40NF10L , STP40NF12 , STP40NF20 , STP42N65M5 , STP45NF06 , STP45NF3LL , AON7506 , STP4N20 , STP4N52K3 , STP4N62K3 , STP4NK50Z , STP4NK50ZD , STP4NK50ZFP , STP4NK60Z , STP4NK60ZFP .

History: AOW11S65 | FLD470 | AM7304N | P7004EV | NCEP40P80G | STB10NK60Z | NCEP6060GU

 

 
Back to Top

 


 
.