STP4NK80Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STP4NK80Z
   Código: P4NK80Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 22.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 67 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STP4NK80Z

STP4NK80Z Datasheet (PDF)

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STP4NK80Z - STP4NK80ZFPSTD4NK80Z - STD4NK80Z-1N-channel 800V - 3 - 3A - TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAKZener - Protected SuperMESH MOSFETGeneral featuresVDSS Type RDS(on) ID(@Tjmax)32STP4NK80Z 800 V

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STP4NK80Z - STP4NK80ZFPSTD4NK80Z - STD4NK80Z-1N-CHANNEL 800V - 3 - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAKZener-Protected SuperMESH Power MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTP4NK80Z 800 V

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STP4NK50Z - STP4NK50ZFPSTD4NK50Z - STD4NK50Z-1N-CHANNEL 500V - 2.4 - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAKZener-Protected SuperMESHPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTP4NK50Z 500 V

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STB4NK60Z, STB4NK60Z-1, STD4NK60ZSTD4NK60Z-1, STP4NK60Z,STP4NK60ZFPN-channel 600 V - 1.76 - 4 A SuperMESH Power MOSFETDPAK - D2PAK - IPAK - I2PAK - TO-220 - TO-220FPFeaturesRDS(on) Type VDSS PW ID 332max3 1121STB4NK60Z 600 V

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STP4NK60Z-STP4NK60ZFP-STB4NK60Z-1STB4NK60Z-STD4NK60Z-STD4NK60Z-1N-CHANNEL600V-1.76-4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/D2PAK/I2PAKZener-Protected SuperMESHPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTP4NK60Z 600 V

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STP4NK50Z - STP4NK50ZFPSTD4NK50Z - STD4NK50Z-1N-CHANNEL 500V - 2.4 - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAKZener-Protected SuperMESHPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTP4NK50Z 500 V

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STD4NK50ZD - STD4NK50ZD-1STF4NK50ZD - STP4NK50ZDN-channel 500V - 2.4 - 3A - TO-220 - TO-220FP- DPAK - IPAKFast diode SuperMESH Power MOSFETGeneral features3Type VDSS RDS(on) ID Pw1STD4NK50ZD-1 500V

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STP4NK60Z, STP4NK60ZFPN-channel 600 V, 1.7 typ., 4 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFETs in TO-220 and TO-220FP packagesDatasheet - production dataFeatures Order codes VDS RDS(on) max. PTOT IDSTP4NK60ZTAB600 V 2 70 W 4 ASTP4NK60ZFP 100% avalanche tested3 32 211 Very low intrinsic capacitancesTO-220TO-220FP Zener-protectedApplications

8.7. Size:201K inchange semiconductor
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INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor STP4NK60ZFPFEATURESWith TO-220F packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYM

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Liste

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