STP4NK80Z MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP4NK80Z

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 67 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.5 Ohm

Encapsulados: TO220

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STP4NK80Z datasheet

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 stp4nk80z stp4nk80zfp std4nk80z std4nk80z-1.pdf pdf_icon

STP4NK80Z

STP4NK80Z - STP4NK80ZFP STD4NK80Z - STD4NK80Z-1 N-channel 800V - 3 - 3A - TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener - Protected SuperMESH MOSFET General features VDSS Type RDS(on) ID (@Tjmax) 3 2 STP4NK80Z 800 V

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STP4NK80Z

STP4NK80Z - STP4NK80ZFP STD4NK80Z - STD4NK80Z-1 N-CHANNEL 800V - 3 - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP4NK80Z 800 V

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STP4NK80Z

STP4NK50Z - STP4NK50ZFP STD4NK50Z - STD4NK50Z-1 N-CHANNEL 500V - 2.4 - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP4NK50Z 500 V

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STP4NK80Z

STB4NK60Z, STB4NK60Z-1, STD4NK60Z STD4NK60Z-1, STP4NK60Z,STP4NK60ZFP N-channel 600 V - 1.76 - 4 A SuperMESH Power MOSFET DPAK - D2PAK - IPAK - I2PAK - TO-220 - TO-220FP Features RDS(on) Type VDSS PW ID 3 3 2 max 3 1 1 2 1 STB4NK60Z 600 V

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