STP4NK80Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP4NK80Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 67 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP4NK80Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP4NK80Z даташит

 ..1. Size:550K  st
 stp4nk80z stp4nk80zfp std4nk80z std4nk80z-1.pdf pdf_icon

STP4NK80Z

STP4NK80Z - STP4NK80ZFP STD4NK80Z - STD4NK80Z-1 N-channel 800V - 3 - 3A - TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener - Protected SuperMESH MOSFET General features VDSS Type RDS(on) ID (@Tjmax) 3 2 STP4NK80Z 800 V

 ..2. Size:620K  st
 stp4nk80z.pdf pdf_icon

STP4NK80Z

STP4NK80Z - STP4NK80ZFP STD4NK80Z - STD4NK80Z-1 N-CHANNEL 800V - 3 - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP4NK80Z 800 V

 8.1. Size:664K  st
 stp4nk50z.pdf pdf_icon

STP4NK80Z

STP4NK50Z - STP4NK50ZFP STD4NK50Z - STD4NK50Z-1 N-CHANNEL 500V - 2.4 - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP4NK50Z 500 V

 8.2. Size:577K  st
 stb4nk60zx std4nk60zx stp4nk60z stp4nk60zfp.pdf pdf_icon

STP4NK80Z

STB4NK60Z, STB4NK60Z-1, STD4NK60Z STD4NK60Z-1, STP4NK60Z,STP4NK60ZFP N-channel 600 V - 1.76 - 4 A SuperMESH Power MOSFET DPAK - D2PAK - IPAK - I2PAK - TO-220 - TO-220FP Features RDS(on) Type VDSS PW ID 3 3 2 max 3 1 1 2 1 STB4NK60Z 600 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STP4N20, STP4N52K3, STP4N62K3, STP4NK50Z, STP4NK50ZD, STP4NK50ZFP, STP4NK60Z, STP4NK60ZFP, AO4407, STP4NK80ZFP, STP50NF25, STP52N25M5, STP55NF06, STP55NF06L, STP5N52K3, STP5N62K3, STP5N95K3