STP50NF25 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

STP50NF25 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP50NF25

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 465 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.069 Ohm

Encapsulados: TO220

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STP50NF25 datasheet

..1. Size:345K st
stb50nf25 stp50nf25.pdf pdf_icon

STB50NF25 STP50NF25 N-channel 250V - 0.055 - 45A - D2PAK - TO-220 low gate charge STripFET Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID PW Max STP50NF25 250 V

8.1. Size:260K st
stp50ne10l.pdf pdf_icon

STP50NE10L N - CHANNEL 100V - 0.020 - 50A TO-220 STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP50NE10L 100 V

8.2. Size:336K st
stp50n05l stp50n05lfi.pdf pdf_icon

8.3. Size:397K st
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STP50N06L STP50N06LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP50N06L 60 V

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