STP50NF25 Todos los transistores

 

STP50NF25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP50NF25
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 465 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.069 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

STP50NF25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:345K  st
 stb50nf25 stp50nf25.pdf pdf_icon

STP50NF25

STB50NF25STP50NF25N-channel 250V - 0.055 - 45A - D2PAK - TO-220low gate charge STripFET Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID PWMaxSTP50NF25 250 V

 8.1. Size:260K  st
 stp50ne10l.pdf pdf_icon

STP50NF25

STP50NE10LN - CHANNEL 100V - 0.020 - 50A TO-220STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP50NE10L 100 V

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 stp50n05l stp50n05lfi.pdf pdf_icon

STP50NF25

 8.3. Size:397K  st
 stp50n06l.pdf pdf_icon

STP50NF25

STP50N06LSTP50N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP50N06L 60 V

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History: MS65R400RF | BUK7Y153-100E | SSS2N60 | SRC65R170B | VN2110 | SM95N03A | IMW120R140M1H

 

 
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