STP50NF25. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP50NF25

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 465 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.069 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP50NF25

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP50NF25 даташит

 ..1. Size:345K  st
 stb50nf25 stp50nf25.pdf pdf_icon

STP50NF25

STB50NF25 STP50NF25 N-channel 250V - 0.055 - 45A - D2PAK - TO-220 low gate charge STripFET Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID PW Max STP50NF25 250 V

 8.1. Size:260K  st
 stp50ne10l.pdf pdf_icon

STP50NF25

STP50NE10L N - CHANNEL 100V - 0.020 - 50A TO-220 STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP50NE10L 100 V

 8.2. Size:336K  st
 stp50n05l stp50n05lfi.pdf pdf_icon

STP50NF25

 8.3. Size:397K  st
 stp50n06l.pdf pdf_icon

STP50NF25

STP50N06L STP50N06LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP50N06L 60 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STP4N62K3, STP4NK50Z, STP4NK50ZD, STP4NK50ZFP, STP4NK60Z, STP4NK60ZFP, STP4NK80Z, STP4NK80ZFP, 4N60, STP52N25M5, STP55NF06, STP55NF06L, STP5N52K3, STP5N62K3, STP5N95K3, STP5NK100Z, STP5NK50Z