Справочник MOSFET. STP50NF25

 

STP50NF25 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STP50NF25
   Маркировка: 50NF25
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 68.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 465 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.069 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для STP50NF25

 

 

STP50NF25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:345K  st
stb50nf25 stp50nf25.pdf

STP50NF25 STP50NF25

STB50NF25STP50NF25N-channel 250V - 0.055 - 45A - D2PAK - TO-220low gate charge STripFET Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID PWMaxSTP50NF25 250 V

 8.1. Size:260K  st
stp50ne10l.pdf

STP50NF25 STP50NF25

STP50NE10LN - CHANNEL 100V - 0.020 - 50A TO-220STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP50NE10L 100 V

 8.2. Size:336K  st
stp50n05l stp50n05lfi.pdf

STP50NF25 STP50NF25

 8.3. Size:397K  st
stp50n06l.pdf

STP50NF25 STP50NF25

STP50N06LSTP50N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP50N06L 60 V

 8.4. Size:201K  st
stp50n06-.pdf

STP50NF25 STP50NF25

STP50N06STP50N06FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP50N06 60 V

 8.5. Size:201K  st
stp50ne08.pdf

STP50NF25 STP50NF25

STP50NE08N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE" SINGLE FEATURE SIZE " POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP50NE08 80 V

 8.6. Size:256K  st
stp50ne10.pdf

STP50NF25 STP50NF25

STP50NE10N-channel 100V - 0.021 - 50A TO-220STripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP50NE10 100V

 8.7. Size:396K  st
stp50n06.pdf

STP50NF25 STP50NF25

STP50N06STP50N06FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP50N06 60 V

 8.8. Size:404K  st
stp50n06l-fi.pdf

STP50NF25 STP50NF25

STP50N06LSTP50N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP50N06L 60 V

 8.9. Size:86K  st
stp50ne10--.pdf

STP50NF25 STP50NF25

STP50NE10 N - CHANNEL 100V - 0.021 - 50A - D2PAKSTripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP50NE10 100 V

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: AO4286

 

 
Back to Top