STP60NF10 Todos los transistores

 

STP60NF10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP60NF10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 470 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

STP60NF10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:364K  st
 stb60nf10 stb60nf10-1 stp60nf10.pdf pdf_icon

STP60NF10

STB60NF10STB60NF10-1 - STP60NF10N-channel 100V - 0.019 - 80A - TO-220 - D2PAK - I2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresVDSS Type RDS(on) ID(@Tjmax)3312STB60NF10 100V

 ..2. Size:230K  inchange semiconductor
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STP60NF10

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel Mosfet Transistor STP60NF10FEATURESDrain Current I = 80A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 100V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching mode power suppliesGeneral purpose power amplifierABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

 7.1. Size:514K  st
 stb60nf06lt4 stb60nf06l stp60nf06l stp60nf06lfp stp60nf06lfp.pdf pdf_icon

STP60NF10

STB60NF06LSTP60NF06L - STP60NF06LFPN-channel 60V - 0.012 - 60A - TO-220/D2PAK/TO-220FPSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB60NF06L 60V

 7.2. Size:279K  st
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STP60NF10

STP60NF06N-channel 60V - 0.014 - 60A TO-220STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP60NF06 60V

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History: IRFR120TR | MT6JN008A | MRF5003 | AONS36316 | 4N65KG-T60-K | CSD17309Q3

 

 
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