STP60NF10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STP60NF10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 470 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
Encapsulados: TO220
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STP60NF10 datasheet
stb60nf10 stb60nf10-1 stp60nf10.pdf
STB60NF10 STB60NF10-1 - STP60NF10 N-channel 100V - 0.019 - 80A - TO-220 - D2PAK - I2PAK STripFET II Power MOSFET General features VDSS Type RDS(on) ID (@Tjmax) 3 3 1 2 STB60NF10 100V
stp60nf10.pdf
INCHANGE Semiconductor isc N-Channel Mosfet Transistor STP60NF10 FEATURES Drain Current I = 80A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 100V(Min) DSS Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching mode power supplies General purpose power amplifier ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 )
stb60nf06lt4 stb60nf06l stp60nf06l stp60nf06lfp stp60nf06lfp.pdf
STB60NF06L STP60NF06L - STP60NF06LFP N-channel 60V - 0.012 - 60A - TO-220/D2PAK/TO-220FP STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB60NF06L 60V
stp60nf06.pdf
STP60NF06 N-channel 60V - 0.014 - 60A TO-220 STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STP60NF06 60V
Otros transistores... STP5NK65ZFP, STP5NK80Z, STP60N3LH5, STP60N55F3, STP60NF03L, STP60NF06, STP60NF06FP, STP60NF06L, STP65NF06, STP60NS04ZB, STP62NS04Z, STP65NF06, STP6N120K3, STP6N52K3, STP6N62K3, STP6N95K5, STP6NK50Z
History: APL502J | CDM7-650
🌐 : EN ES РУ
Liste
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