STP62NS04Z MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STP62NS04Z
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 33 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 62 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 104 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
Encapsulados: TO220
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STP62NS04Z datasheet
stp62ns04z.pdf
STP62NS04Z N-channel clamped 12.5 m , 62 A, TO-220 fully protected MESH OVERLAY Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STP62NS04Z Clamped
Otros transistores... STP60N3LH5, STP60N55F3, STP60NF03L, STP60NF06, STP60NF06FP, STP60NF06L, STP60NF10, STP60NS04ZB, 7N60, STP65NF06, STP6N120K3, STP6N52K3, STP6N62K3, STP6N95K5, STP6NK50Z, STP6NK60Z, STP6NK90Z
History: AGM15P30E
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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