STP62NS04Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STP62NS04Z
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 33 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 62 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 104 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de STP62NS04Z MOSFET
STP62NS04Z Datasheet (PDF)
stp62ns04z.pdf
STP62NS04ZN-channel clamped 12.5 m, 62 A, TO-220fully protected MESH OVERLAY Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTP62NS04Z Clamped
Otros transistores... STP60N3LH5 , STP60N55F3 , STP60NF03L , STP60NF06 , STP60NF06FP , STP60NF06L , STP60NF10 , STP60NS04ZB , MMIS60R580P , STP65NF06 , STP6N120K3 , STP6N52K3 , STP6N62K3 , STP6N95K5 , STP6NK50Z , STP6NK60Z , STP6NK90Z .
History: IRF9630SPBF | WML07N65C4 | STU16N60M2 | STB11NM80T4 | RCD060N25 | 2SK312 | RCD075N20
History: IRF9630SPBF | WML07N65C4 | STU16N60M2 | STB11NM80T4 | RCD060N25 | 2SK312 | RCD075N20
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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