STP6N120K3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP6N120K3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm

Encapsulados: TO220

 Búsqueda de reemplazo de STP6N120K3 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

STP6N120K3 datasheet

 ..1. Size:400K  st
stfw6n120k3 stp6n120k3 stw6n120k3.pdf pdf_icon

STP6N120K3

STFW6N120K3, STP6N120K3, STW6N120K3 N-channel 1200 V, 1.95 typ., 6 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-3PF, TO-220 and TO-247 packages Datasheet production data Features RDS(on) Order codes VDSS max ID Ptot 3 2 1 STFW6N120K3 1200 V

 9.1. Size:96K  st
stp6na60fp.pdf pdf_icon

STP6N120K3

STP6NA60FP N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STP6NA60FP 600 V

 9.2. Size:532K  st
stb6nc80z stp6nc80z.pdf pdf_icon

STP6N120K3

STP6NC80Z - STP6NC80ZFP STB6NC80Z - STB6NC80Z-1 N-CHANNEL 800V - 1.5 - 5.4A TO-220/FP/D PAK/I PAK Zener-Protected PowerMESH III MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP6NC80Z/FP 800V

 9.3. Size:341K  st
stp6na50 stp6na50fi.pdf pdf_icon

STP6N120K3

Otros transistores... STP60NF03L, STP60NF06, STP60NF06FP, STP60NF06L, STP60NF10, STP60NS04ZB, STP62NS04Z, STP65NF06, IRFZ46N, STP6N52K3, STP6N62K3, STP6N95K5, STP6NK50Z, STP6NK60Z, STP6NK90Z, STP70N10F4, STP70NF03L